I transistor GS-065-060 sono transistor di potenza a modo di arricchimento da 650 V con semplici requisiti di pilotaggio del gate, da 0 V a 6 V. Questi transistor presentano un'elevata frequenza di commutazione superiore a 10 MHz, con tempi di salita e discesa rapidi e controllabili. Sono alloggiati in un package GaNPX® a bassa induttanza e bassa resistenza termica. I transistor offrono anche capacità di conduzione inversa e perdite di recupero inverse pari a zero, garantendo prestazioni efficienti per applicazioni ad alta potenza esigenti. I transistor GS-065-060 sono dotati di due pad di gate per una progettazione ottimizzata del circuito stampato e sono conformi alla direttiva RoHS 3.

Maggiori informazioni: https://www.mouser.es/new/gan-systems/gan-systems-650v-transistors/