Con un indice di merito (FOM) di 3,1Ω*nC, che si traduce in perdite inferiori sia in conduzione che in commutazione, e un RDS(ON) di 0,059Ω,
è disponibile in un formato PowerPAK 8x8 (8x8 mm), ideale per applicazioni industriali e di telecomunicazione, nella progettazione di alimentatori switching e nella correzione del fattore di potenza.
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- Categoria: Circuiti integrati
VISHAY SiHH068N60E MOSFET da 600 V
RC Microelectronics presenta il MOSFET SiHH068N60E da 600 V (quarta generazione), prodotto dalla sua azienda rappresentata VISHAY, in grado di condurre una corrente continua di 34 A e picchi fino a 100 A.
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