Tra i nuovi dispositivi di questa famiglia, che utilizzano la consolidata tecnologia planare IR, troviamo MOSFET a canale N standard con controllo del gate a 55 V e 150 V, nonché MOSFET a canale P standard con controllo del gate a -55 V e -100 V, adatti per applicazioni di commutazione ad alto potenziale che non richiedono una pompa di carica per il controllo del gate. I MOSFET a canale N con controllo del gate a livello logico a 30 V, 55 V e 100 V semplificano i requisiti di controllo del gate e contribuiscono a ridurre lo spazio occupato sulla scheda e il numero di componenti. Tutti i nuovi dispositivi sono ottimizzati per una bassa resistenza di conduzione (RDS(on)).

Questi dispositivi, approvati secondo gli standard AEC-Q101, sono caratterizzati da un elenco di materiali ecocompatibili, privi di piombo e conformi alla direttiva RoHS, e fanno parte dell'iniziativa Zero Defect di IR focalizzata sul settore automobilistico.

Tutti i MOSFET automotive di IR vengono sottoposti a test di mediazione dinamica e statica dei dispositivi, nonché a un'ispezione visiva automatizzata al 100% dei wafer, nell'ambito dell'iniziativa Automotive Quality di IR, che mira a zero difetti. L'approvazione AEC-Q101 richiede una variazione di RDS(on) non superiore al 20% dopo 1.000 cicli di temperatura durante i test. Tuttavia, durante i test prolungati, la nuova distinta base (BOM) AU di IR ha fornito una variazione massima di RDS(on) di solo il 12% per 5.000 cicli di temperatura, dimostrando la resilienza e la robustezza della BOM.

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