I nuovi dispositivi coprono un'ampia gamma di correnti e offrono un valore di cortocircuito > 5 ms, una bassa Vce(on) e un coefficiente di temperatura positivo di Vce(on) in vari sistemi di azionamento motori, dal condizionamento elettrico agli inverter di trazione principali, che richiedono un'elevata densità di potenza tra 24 e 160 A. Altre caratteristiche comuni a tutta la famiglia sono la zona di funzionamento sicura in polarizzazione inversa (RBSOA), il diodo di recupero morbido integrato e una temperatura di giunzione di 175 °C (max.).
Questa nuova famiglia di IGBT IR da 600 V per applicazioni automotive, caratterizzata da basse perdite di conduzione e di commutazione, è ideale per diverse applicazioni di controllo di motori a velocità variabile utilizzate nelle piattaforme di veicoli elettrici e ibridi.
I MOSFET per il settore automobilistico di IR vengono sottoposti a test di mediazione dinamica e statica dei dispositivi, nonché a un'ispezione visiva automatizzata al 100% dei wafer, nell'ambito dell'iniziativa Automotive Quality di IR, che mira a zero difetti. Tutti questi nuovi dispositivi sono ecocompatibili, essendo prodotti utilizzando i materiali per il settore automobilistico di IR, privi di piombo e conformi alla direttiva RoHS.
