Già in produzione, la tecnologia 3D XPoint rappresenta un importante passo avanti nella tecnologia di elaborazione delle memorie e segna la prima volta che viene introdotta una nuova categoria dall'avvento delle memorie flash NAND nel 1989.
La natura non volatile di questa tecnologia la rende inoltre un'ottima scelta per diverse applicazioni di archiviazione a bassa latenza, poiché i dati non vengono cancellati allo spegnimento del dispositivo.
L'innovativa architettura crossover con un numero ridotto di transistor crea un design a scacchiera tridimensionale in cui le celle di memoria sono posizionate all'intersezione delle linee di parola e di bit, consentendo di trattare le celle individualmente. Di conseguenza, i dati possono essere scritti e letti in piccoli lotti, consentendo un processo di lettura e scrittura più rapido ed efficiente.
Altri dettagli sulla tecnologia 3D XPoint includono:
• Struttura Cross Point Array – Conduttori perpendicolari collegano 128 milioni di celle di memoria densamente impacchettate. Ogni cella di memoria memorizza un singolo bit di dati. Questa struttura compatta offre prestazioni elevate e un'alta densità di bit.
• Impilabile – Oltre alla struttura Cross Point Array compatta, le celle di memoria sono impilate su più strati. La tecnologia iniziale memorizza 128 GB per die in due strati di memoria. Le generazioni successive di questa tecnologia possono aumentare il numero di strati di memoria, così come la tradizionale scalatura del passo litografico, migliorando ulteriormente la capacità del sistema.
• Selettore – L'accesso alle celle di memoria e la scrittura o la lettura dei dati avvengono variando la quantità di tensione inviata a ciascun selettore. Ciò elimina la necessità di transistor, aumentando la capacità e riducendo i costi.
• Cella a commutazione rapida – Grazie alle dimensioni ridotte della cella, a un selettore a commutazione rapida, a una matrice Cross Point a bassa latenza e a un
algoritmo di scrittura veloce, la cella è in grado di cambiare stato più velocemente di qualsiasi altra tecnologia di memoria non volatile attualmente disponibile.
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