La nuova gamma comprende densità di 1 Gbit, 2 Gbit e 4 Gbit ed è disponibile in package SOP (10,3 mm x 7,5 mm) o WSON (6,0 mm x 8,0 mm). Ogni combinazione densità/dispositivo è disponibile con compatibilità di tensione di ingresso a 1,8 V o 3,3 V.
Funzioni di lettura sequenziale ad alta velocità, ECC (codice di correzione degli errori) integrato con funzione di segnalazione "bit flip" e funzioni di protezione dei dati integrate che garantiscono un accesso rapido ai dati e al contempo una memorizzazione sicura.
L'interfaccia seriale periferica (SPI) consente di controllare i dispositivi utilizzando solo sei pin, offrendo agli utenti l'accesso a memorie flash NAND SLC con un numero ridotto di pin, dimensioni compatte e alta capacità. Le memorie NAND SPI hanno un costo per bit molto inferiore rispetto alle soluzioni di memoria flash NOR tradizionalmente utilizzate nelle applicazioni embedded.
Per consentire ai dispositivi embedded di soddisfare i crescenti requisiti funzionali dei clienti, si registra una domanda sempre maggiore di densità di memoria. Questa domanda sta spingendo verso un aumento della capacità di archiviazione di software (inclusi programmi di avvio, firmware e sistemi operativi embedded) e dati (inclusi i dati di registro), portando i progettisti di prodotti a scegliere sempre più spesso la memoria flash SLC NAND per la sua elevata densità e affidabilità.
Grazie a un intervallo di temperatura operativa compreso tra -40 °C e +85 °C, i dispositivi sono adatti alla stragrande maggioranza delle applicazioni di consumo e industriali. Le spedizioni dei campioni dei dispositivi WSON e SOP inizieranno questo mese, mentre la produzione di massa mirata prenderà il via a dicembre 2015. Sono in fase di sviluppo anche prodotti con packaging BGA.
