Ideal Power ha anunciado la disponibilidad de su nuevo dispositivo B-TRAN® IPAD01208A04, un interruptor bidireccional de estado sólido de 1200 V y 75 A diseñado para aplicaciones de alta eficiencia energética donde las pérdidas de conducción, la fiabilidad y la densidad de potencia son factores críticos.
Wolfspeed ha presentado su quinta generación tecnológica, que supone un avance sustancial en cuanto a eficiencia para las aplicaciones industriales y de automoción de próxima generación de 1200 V y 750 V.
La adopción del carburo de silicio (SiC) como material base para los transistores MOSFET de potencia en inversores de vehículos electrificados ha sido una de las tendencias más consolidadas de la última década en electrónica de potencia. Las ventajas del SiC frente al silicio convencional son bien conocidas: menores pérdidas de conducción y conmutación, mayor temperatura de operación y mayor frecuencia de trabajo.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») anuncia el lanzamiento de tres nuevos MOSFET de potencia de canal N de 40 V: el XPMR5904PB, ya disponible, y los modelos XPMR7404PB y XPMR8504PB, que estarán disponibles en breve. Estos dispositivos utilizan el nuevo encapsulado SOP Advance(EWF) y están diseñados para aplicaciones automovilísticas exigentes,
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») lanza el SSM6L826R, un nuevo MOSFET dual de 30 V que integra MOSFET de canal N y de canal P en un único encapsulado. El producto es ideal para aplicaciones que incluyen el control de motores de corriente continua sin escobillas (BLDC) monofásicos,
ROHM ha anunciado que su MOSFET de SiC de 750 V ha sido incorporado a una unidad de respaldo por batería (BBU, por sus siglas en inglés) para fuentes de alimentación de servidores de IA. Con el auge de la IA generativa, los sistemas de alimentación para servidores de IA están cambiando a tensiones más altas y pasando rápidamente a arquitecturas HVDC
Microchip Technology anuncia la disponibilidad de sus nuevos módulos de potencia HV‑D3 mSiC® de 3,3 kV, diseñados para facilitar y acelerar la adopción los transformadores de estado sólido (SST) en centros de datos hiperescalares de IA y otras aplicaciones de alimentación a alta tensión.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») presenta dos MOSFET de canal N de 80 V que cumplen con la norma AEC-Q101, ampliando así su gama para dar soporte a los sistemas de automoción de 48 V. Los modelos XPH2R608QB y XPH3R908QB son los primeros productos del proceso U-MOSX-H de última generación que se alojan en el encapsulado SOP Advance (WF) con flancos humectables.
Wolfspeed, Inc ha anunciado el lanzamiento del primer MOSFET de potencia de SiC de 10 kV disponible en el mercado. El MOSFET de SiC de 10 kV establece un nuevo estándar de durabilidad y rendimiento, con un análisis de vida útil intrínseco de ruptura dieléctrica dependiente del tiempo (TDDB) que predice 158.000 años de funcionamiento con una tensión de polarización de puerta continua de 20 V.
ROHM ha desarrollado el último dispositivo de su serie EcoSiC™: los MOSFET de SiC de 5ª generación optimizados para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Esta tecnología es ideal para sistemas de grupos motopropulsores eléctricos en automoción —como inversores de tracción para vehículos eléctricos (xEV)— así como fuentes de alimentación para servidores de IA y equipos industriales como centros de datos.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») presenta el TPHR6704RL, un MOSFET de potencia de canal N de 40 V fabricado utilizando su proceso U-MOS11-H de última generación. El dispositivo está optimizado para fuentes de alimentación conmutadas utilizadas en centros de datos, así como para equipos industriales tales como convertidores CC-CC de alta eficiencia, reguladores de tensión conmutados y controladores de motores.
La gama Agilex 5 de Altera ya está disponible en Mouser Electronics. Los SoC y las FPGA Agilex 5 de Altera aportan un nivel avanzado de eficiencia en el procesamiento en el borde, el procesamiento de señales digitales (DSP) y la inteligencia artificial (IA), gracias a núcleos dobles CortexA76 y CortexA55 y a la tecnología de Intel 7.
ROHM ha desarrollado el RS4P063BPHZG, un MOSFET de 100 V optimizado para funciones de seguridad del automóvil y circuitos de protección. El nuevo producto logra una SOA (área segura de funcionamiento) amplia líder del sector* en un amplio rango de tensiones en el encapsulado estándar HPLF5060...
ROHM ha desarrollado IGBT de 4.ª generación de 650 V, ideales para compresores eléctricos y calentadores de alta tensión del sector de la automoción, así como para inversores destinados a equipos industriales. Como productos de la clase de 650 V de calidad automotriz,
ROHM ha desarrollado una nueva gama de MOSFET de superconexión de 600 V, las series R60xxXNx y R60xxWNx. En los sectores de los centros de datos y los equipos industriales, la demanda de energía sigue aumentando a medida que se incrementan las cargas de procesamiento, lo que está impulsando una fuerte...
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado el TPM1R408RH, un MOSFET de potencia de canal N de 80 V basado en la última tecnología de proceso U-MOS11-H de la empresa. Diseñado para fuentes de alimentación conmutadas industriales de alta eficiencia destinadas a equipos de centros de...
Los sistemas de temporización para vehículos espaciales deben proporcionar señales muy estables y precisas a los instrumentos de navegación, de comunicaciones y científicos, incluso cuando las señales GNSS son débiles o no se encuentran disponibles.
NOVOSENSE Microelectronics ha anunciado el lanzamiento de la serie SP301H/L, una familia de aisladores digitales de tres canales basada en su tecnología patentada de aislamiento capacitivo de tercera generación.
Navitas Semiconductor ha anunciado el lanzamiento de su nuevo encapsulado UHV‑TO‑247‑4‑ISO, que establece un nuevo referente para los dispositivos de potencia discretos de alto rendimiento. Con una distancia de fuga de más de 12 mm entre pines y un aislamiento integrado superior a 6000 V,
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha presentado al mercado dos aisladores digitales estándar compactos, de cuatro canales, velocidad media y bajo consumo, destinados a equipos industriales y electrónica de consumo.
Toshiba Electronics Europe GmbH («Toshiba») ha ampliado su gama de MOSFET de potencia de canal N con el lanzamiento de nueve nuevos componentes en tres tipos de encapsulados pequeños y de alta disipación térmica.
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