Dadurch eignen sie sich für Anwendungen im Automobilbereich wie On-Board-Ladegeräte (OBCs) und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EVs) sowie für DC/DC-Wandler und Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen (HLK). Diese Schalter sind im immer beliebter werdenden SMD-Gehäuse D2PAK-7 untergebracht, das sich besser für automatisierte Montageprozesse eignet als bedrahtete Bauteile.
Der RDS(on)-Wert ist ein entscheidender Leistungsparameter für SiC-MOSFETs, da er die Leitungsverluste beeinflusst. Die alleinige Betrachtung des Nominalwerts vernachlässigt jedoch die Tatsache, dass dieser Wert mit steigender Betriebstemperatur des Bauelements um mehr als 100 % zunehmen kann, was zu einem signifikanten Anstieg der Leitungsverluste führt. Die Temperaturstabilität ist bei SMD-Gehäusetechnologien im Vergleich zur Durchsteckmontage noch wichtiger, da die Bauelemente über die Leiterplatte gekühlt werden. Nexperia erkannte dies als limitierenden Faktor für die Leistung vieler aktuell verfügbarer SiC-Bauelemente und nutzte die Vorteile seiner innovativen Prozesstechnologie, um sicherzustellen, dass seine neuen SiC-MOSFETs eine branchenführende thermische Stabilität aufweisen. Der nominelle RDS(on)-Wert steigt im Betriebstemperaturbereich von 25 °C bis 175 °C lediglich um 38 %. Dank des höheren nominellen RDS(on)-Werts von Nexperia bei 25 °C im Vergleich zu anderen Anbietern können Kunden in ihren Anwendungen höhere Ausgangsleistungen realisieren, ohne Leistungseinbußen hinnehmen zu müssen.
„Diese Funktion ermöglicht es uns, aus ausgewählten SiC-MOSFET-Bauelementen von Nexperia im Vergleich zu ähnlichen Bauelementen mit vergleichbarem RDS(on) anderer Hersteller mehr Leistung zu gewinnen und unseren Kunden damit einen klaren Kostenvorteil auf Halbleiterebene zu verschaffen. Darüber hinaus bieten geringere Anforderungen an die Kühlung, kompaktere passive Bauteile und ein höherer Wirkungsgrad unseren Kunden mehr Designfreiheit und niedrigere Gesamtbetriebskosten. Wir freuen uns besonders über die Verfügbarkeit dieser Produkte für den Automobilmarkt, wo ihre Leistungs- und Effizienzvorteile einen entscheidenden Unterschied bei der Entwicklung von Fahrzeugen der nächsten Generation ausmachen können“, sagte Edoardo Merli, Senior Vice President und Leiter der Gruppe Wide Bandgap, IGBT & Modules (WIM).
Nexperia plant die Markteinführung von für die Automobilindustrie zugelassenen Versionen seiner SiC-MOSFETs mit 17 mΩ und 80 mΩ RDS(on).
