Durch seine kompakte Bauweise mit geringer Induktivität lässt es sich leicht in Umrichter, Wechselrichter und elektrische Antriebssysteme integrieren. Laut Hersteller kann das Modul auch in bestehende Designs auf Basis von Si-IGBT-Transistoren eingebaut werden.
Halbbrückentopologie mit SiC-Technologie:
Das MD53HFL120L2S_B20 verfügt über eine Halbbrückenstruktur und eignet sich daher für den Einsatz in Leistungswandlerstufen. Das Modul zeichnet sich durch einen Durchlasswiderstand RDS(on) von 5,3 mΩ bei 25 °C aus und nutzt modernste SiC-Technologie zur Reduzierung von Leitungs- und Schaltverlusten. Es verfügt außerdem über eine optimierte Freilaufdiode und AlN-AMB-Technologie, die die thermische Leistung und den Gesamtwirkungsgrad verbessern.
Laut StarPower ermöglichen diese Eigenschaften die Entwicklung von DC/DC-Wandlern und Hilfsantrieben mit geringerem Kühlbedarf und kleinerer Baugröße.
Kompaktes Design und Betriebstemperatur bis 150 °C.
Das Modul ist für die integrierte Montage auf Leiterplatten optimiert und zeichnet sich durch eine induktivitätsarme Konstruktion aus. Zudem verfügt es über eine effiziente DBC-Substratkühlung zur Förderung der Wärmeableitung im Betrieb.
Zu den wichtigsten technischen Merkmalen gehören:
- Modell: MD53HFL120L2S_B20.
- Technologie: Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET.
- Spannungsklasse: 1200 V.
- Stromklasse: 120 A.
- RDS(on): 5,3 mΩ bei 25 °C.
- Topologie: Halbbrücke mit zwei N-Kanal-MOSFETs.
- Substrattechnologie: AlN-AMB.
- Betriebstemperatur: Bis zu 150 °C.
Die Kombination aus niedrigem Leitungswiderstand, reduzierten Schaltverlusten und der Fähigkeit, bei hohen Temperaturen zu arbeiten, ist auf Anwendungen ausgerichtet, die Effizienz und Leistungsdichte erfordern.
Anwendungen in Elektrofahrzeugen und Solarwechselrichtern:
StarPower positioniert das MD53HFL120L2S_B20 für Leistungswandlungs- und Steuerungssysteme in der Industrie und im Automobilbereich. Zu den vorgesehenen Anwendungen zählen Haupt- und Nebenantriebe für Elektrofahrzeuge sowie Onboard-Ladegeräte. Im Bereich der erneuerbaren Energien kann das Modul in zentralen und String-Solarwechselrichtern eingesetzt werden.
Das Unternehmen plant außerdem die Integration in unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), hocheffiziente Schaltnetzteile (SMPS), DC-Servosysteme und Roboterantriebe.
Integration in Leistungswandlungssysteme:
Das Modul MD53HFL120L2S_B20 wurde für Anwendungen entwickelt, die hohe Effizienz, Leistungsdichte und kompakte Abmessungen erfordern. Dank seiner Halbbrückentopologie, der SiC-Technologie und der induktivitätsarmen Bauweise eignet es sich für den Einsatz in verschiedenen Stufen von Wechselrichtern und Wandlern. Mit diesem Bauteil erweitert StarPower Semiconductor sein Portfolio an SiC-Leistungsmodulen für industrielle und automobile Anwendungen, insbesondere in Segmenten, in denen Kosten, Energieeffizienz und Kühlungsanforderungen entscheidende Faktoren sind.
