Diese Erweiterung trägt der wachsenden Nachfrage nach hocheffizienter Wandlung in Hochleistungssystemen Rechnung und beinhaltet Bauelemente, die für Strombelastbarkeiten bis zu 608 A und einen thermischen Widerstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von nur 0,07 ºC/W (im Standard-Halbbrückenformat S3 62 mm) ausgelegt sind.
Die Sechserpack-Module integrieren die dreiphasige Leistungsstufe in ein kompaktes Gehäuse und weisen einen RDSon-Bereich von 19,5 bis 82 mΩ auf. Sie sind so konzipiert, dass sie das Layout optimieren und parasitäre Störungen in modernen AC/DC-Wandlern und Motorantrieben minimieren.
Die Vollbrückenmodule bieten Strombelastbarkeiten bis zu 120 A und einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand von nur 8,6 mΩ. Diese Kombination maximiert zusammen mit einem niedrigen Wärmewiderstand von 0,28 °C/W die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad in einphasigen Wechselrichtern und Hochspannungs-DC/DC-Systemen.
Alle Komponenten werden einem Wafer-Level-Gate-Oxid-Burn-in-Test unterzogen, um die Oxidqualität sicherzustellen. Sie werden außerdem mit Durchbruchspannungen von über 1350 V getestet. Module, die auf diesen Chips der dritten Generation basieren, arbeiten dank eines Gate-Spannungsbereichs von 18 V / -4,5 V mit niedrigeren Gate-Spannungen als frühere Generationen. Die Gen3-Technologie von SemiQ reduziert sowohl den Kurzschlussstrom (RONsp) als auch die Abschaltverluste (EOFF) im Vergleich zu früheren Generationen um bis zu 30 %.
Dr. Timothy Han: „Die Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge und neue industrielle Anwendungen erfordert immer höhere Leistungsfähigkeit. Mit führender Stromdichte und deutlich geringerem Leitungswiderstand helfen unsere neuen Gen3-Vollbrücken-, Halbbrücken- und Sechserpack-Module Unternehmen, diese Anforderungen zu erfüllen.“
