Diese Produktfamilie ermöglicht die Entwicklung von Leistungswandlern mit branchenführender Umwandlungseffizienz und hoher Leistungsdichte. Die Serie umfasst zudem eine optionale parallele Schottky-Barrierediode zur weiteren Reduzierung der Schaltverluste in Hochtemperaturumgebungen.
Zwei der sechs Bausteine der Familie weisen einen RDS(on)-Wert von nur 1 mΩ und eine Leistungsdichte von 240 W/in³ in ihrem 62 x 152 mm großen Gehäuse auf.
Der QSiC Dual3 wurde entwickelt, um den Austausch von IGBT-Modulen mit minimalem Designaufwand zu ermöglichen. Alle MOSFET-Chips wurden einem Wafer-Level-Gate-Oxid-Burn-in-Test mit über 1450 V unterzogen. Die Module zeichnen sich außerdem durch einen niedrigen Sperrschicht-Gehäuse-Widerstand aus, was ein vereinfachtes Systemdesign mit kleineren und leichteren Kühlkörpern ermöglicht.
„Der durch KI in Rechenzentren bedingte steigende Bedarf an Energie- und Wärmemanagement bringt herkömmliche Kühl- und Stromversorgungssysteme an ihre Grenzen“, so Dr. Timothy Han, Präsident von SemiQ. „Die QSiC Dual3-Serie bietet ein flexibles Design und eine branchenführende Leistungsdichte und unterstützt 250-kW-Flüssigkeitskühleranwendungen sowohl im aktiven Frontend als auch in Kompressorantrieben. Dabei werden Größe und Gewicht im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-IGBT-Lösungen reduziert, während gleichzeitig ein maximaler SiC-Wirkungsgrad erzielt wird.“
