Dank ihrer L-TOGL-Gehäuse und der daraus resultierenden verbesserten Wärmeableitung sind die neuen MOSFETs von Toshiba optimal für hohe Ströme ausgelegt. Sie zeichnen sich durch hohe Drainstromwerte (400 A beim XPQR3004PB und 200 A beim XPQ1R004PB) sowie branchenführende Einschaltwiderstände (0,3 mΩ beim XPQR3004PB und 1 mΩ beim XPQ1R004PB) aus.

Die Bauelemente verfügen über keine interne Polstruktur (Lötverbindungen). Dies wird durch eine innovative Kupferklemme erreicht, die Source- und externe Anschlüsse verbindet. Die Verwendung einer Multipolstruktur für die Source-Anschlüsse reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) im Vergleich zum herkömmlichen TO-220SM(W)-Gehäuse um ca. 70 %. Der Nenn-Drainstrom (ID) des XPQR3004PB ist um 60 % höher als der des aktuellen TKR74F04PB im TO-220SM(W)-Gehäuse. Der robuste Kupferrahmen reduziert zudem die thermische Impedanz zwischen Sperrschicht und Gehäuse erheblich. Sie beträgt 0,2 °C/W beim XPQR3004PB und 0,65 °C/W beim XPQ1R004PB. Dies verbessert die Wärmeableitung, senkt die Betriebstemperaturen und erhöht die Zuverlässigkeit.

Die Modelle XPQR3004PB und XPQ1R004PB sind für den Einsatz in anspruchsvollen Automobilanwendungen bei Temperaturen bis zu 175 °C ausgelegt und nach AEC-Q101 zertifiziert. Ihre Gullwing-Anschlüsse reduzieren die Belastung bei der Montage und erleichtern die Sichtprüfung, was zu einer höheren Lötstellenzuverlässigkeit beiträgt.

Bei Verwendung in Hochstromanwendungen im Automobilbereich, wie beispielsweise Halbleiterrelais oder integrierten Startergeneratoren (ISGs), vereinfachen die XPQR3004PB und XPQ1R004PB die Konstruktion und reduzieren die Anzahl der benötigten MOSFETs. Dies führt zu geringeren Abmessungen, einem niedrigeren Gewicht und geringeren Kosten.

Weitere Informationen oder ein Angebot