Diese Module, erhältlich in einer Vielzahl von Topologien, darunter Halbbrücken-, Vollbrücken-, Dreiphasen- und PIM/CIB-Konfigurationen, bieten Entwicklern die Flexibilität, Systemleistung, Kosten und Architektur zu optimieren. BZPACK mSiC-Module wurden gemäß den HV-H3TRB-Standards getestet, die über 1.000 Betriebsstunden erfordern und somit die notwendige Zuverlässigkeit für den Einsatz in industriellen Anwendungen und im Bereich erneuerbarer Energien gewährleisten. Mit einem 600-V-CTI-Gehäuse (Comparative Tracking Index), einem stabilen Rds(on)-Wert über verschiedene Temperaturbereiche und Substraten aus Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Aluminiumnitrid (AlN) bieten die Module hervorragende Isolation, optimales Wärmemanagement und hohe Langlebigkeit.
„Die Einführung unserer BZPACK mSiC-Leistungsmodule unterstreicht Microchips Engagement für robuste und leistungsstarke Lösungen für anspruchsvollste Anwendungen in der Leistungsumwandlung“, so Clayton Pillon, Vice President des Geschäftsbereichs High Power Solutions bei Microchip. „Unsere fortschrittliche mSiC-Technologie ermöglicht es unseren Kunden, effiziente und langlebige Systeme für die Industrie und den Nachhaltigkeitsmarkt zu entwickeln.“.
BZPACK-Module zeichnen sich durch ihr kompaktes, platinenloses Design, lötfreie Steckverbindungen und optional voraufgetragenes Wärmeleitmaterial (TIM) aus, was die Produktion vereinfacht und die Systemkomplexität reduziert. Diese vielseitigen Optionen beschleunigen die Montage, verbessern die Fertigungskonsistenz und ermöglichen die Verfügbarkeit verschiedener Hersteller durch branchenübliche Formfaktoren. Darüber hinaus sind die Module pinkompatibel, was ihre Anwendung vereinfacht.
Die mSiC-MOSFET-Familien MB und MC von Microchip bieten robuste Lösungen für industrielle und automobile Anwendungen und umfassen Optionen, die dem AEC-Q101-Standard entsprechen. Diese Bausteine unterstützen gängige Gate-Source-Spannungen (V<sub>GS</sub> ≥ 15 V) und werden in Standardgehäusen für eine einfache Integration geliefert. Ihre Konformität mit dem HV-H3TRB-Standard belegt ihre Langzeitzuverlässigkeit, da sie dazu beiträgt, das Risiko von Ausfällen durch Leckströme oder feuchtigkeitsbedingte Durchschläge zu reduzieren. Die MC-Familie verfügt über einen Gate-Widerstand, der die Schaltkontrolle verbessert, eine niedrige Schaltenergie gewährleistet und die Stabilität in Multi-Chip-Modulkonfigurationen erhöht. Aktuelle Modelle sind im TO-247-4 Notch-Gehäuse und als ungekapselte Waffelgehäuse erhältlich.
