Das neue SOP Advance(E)-Gehäuse stellt eine deutliche Verbesserung gegenüber dem bisherigen SOP Advance(N)-Gehäuse von Toshiba dar. Der Gehäusewiderstand wird um ca. 65 % und der Wärmewiderstand um ca. 15 % reduziert. Diese Verbesserungen führen direkt zu einer überlegenen Bauteilleistung. Der 80-V-Transistor TPM1R908QM weist im Vergleich zum bisherigen Toshiba-Produkt TPH2R408QM bei gleicher Nennspannung einen um ca. 21 % reduzierten Drain-Source-Widerstand (RDS(ON)) und einen um ca. 15 % reduzierten Kanal-Gehäuse-Wärmewiderstand (Rth(ch-c)) auf. Ebenso erreicht der 150-V-Transistor TPM7R10CQ5 bei gleicher Nennspannung einen um ca. 21 % niedrigeren RDS(ON) und einen um ca. 15 % niedrigeren Rth(ch-c) als der bisherige Toshiba-Transistor TPH9R00CQ5. Der TPM7R10CQ5 ist mit einer Hochgeschwindigkeits-Body-Diode ausgestattet, um die Effizienz der Synchrongleichrichtung zu steigern.

Die durch den verbesserten Wärmewiderstand erzielte Reduzierung des Durchlasswiderstands und die Verringerung des Temperaturanstiegs tragen zu einem insgesamt niedrigeren Durchlasswiderstand bei, selbst unter Berücksichtigung positiver Temperaturkennlinien. Diese Kombination ermöglicht letztendlich geringere Verluste und eine höhere Effizienz in kritischen Anwendungen, wie beispielsweise Schaltnetzteilen für Industrieanlagen, einschließlich solcher, die Rechenzentren und Kommunikationsbasisstationen versorgen.

Der TPM1R908QM zeichnet sich durch eine Drain-Source-Spannung (V <sub>DSS</sub> ) von 80 V, einen Drainstrom (I<sub> D </sub> ) von 238 A (T<sub>c</sub> = 25 °C) und einen maximalen R<sub>DS( ON )</sub>-Wert von 1,9 mΩ (V <sub>GS</sub> = 10 V) aus. Der TPM7R10CQ5 bietet eine V <sub>DSS </sub> von 150 V, einen I<sub> D</sub>-Wert von 120 A (T<sub>c</sub> = 25 °C) und einen maximalen R<sub>DS( ON )</sub>-Wert von 7,1 mΩ (V <sub>GS</sub> = 10 V). Beide Produkte weisen eine Kanaltemperatur (T<sub>ch</sub>) von 175 °C und eine Wärmeleitfähigkeit (R<sub>th</sub> (ch-c)) von 0,6 °C/W (T<sub>c</sub> = 25 °C) auf. Das Advance(E) SOP-Gehäuse hat typischerweise Abmessungen von 4,9 mm × 6,1 mm.

Um die Schaltungsentwicklung für Schaltnetzteile weiter zu vereinfachen, bietet Toshiba außerdem ein G0 SPICE-Modell zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion sowie hochpräzise G2 SPICE-Modelle an, die transiente Eigenschaften genau wiedergeben.