Auf Basis der proprietären Bidirectional Bipolar Junction Transistor (B-TRAN®)-Architektur bietet die neue Komponente native bidirektionale Schaltfähigkeiten und einen extrem niedrigen Durchlassspannungsabfall, wodurch die Entwicklung kompakterer und effizienterer Systeme im Vergleich zu herkömmlichen Lösungen auf Basis von MOSFETs oder IGBTs ermöglicht wird.
Geringere Verluste und höhere Effizienz.
Eine der herausragendsten Eigenschaften des neuen Bauteils ist seine extrem niedrige Leitungssättigungsspannung von typischerweise nur 0,56 V bei 70 A und 25 °C – ein besonders relevantes Merkmal in Anwendungen mit über längere Zeiträume fließendem Strom.
Dieser reduzierte Spannungsabfall führt direkt zu geringeren Wärmeverlusten und einer deutlichen Verbesserung der Gesamtsystemeffizienz. In Anwendungen wie Batterietrennung, elektronischen Schützen oder Halbleiterschaltern, bei denen die Leitungszeit oft deutlich länger als die Schaltzeit ist, können die Energieeinsparungen erheblich sein.
Integriertes bidirektionales Schalten:
Im Gegensatz zu anderen Leistungstechnologien, die mehrere Bauelemente zum Sperren und Leiten des Stroms in beide Richtungen benötigen, verfügt B-TRAN® über diese Funktionalität. Dies ermöglicht eine Reduzierung der Bauteilanzahl, vereinfacht die Leistungsarchitektur und senkt Größe und Kosten bestimmter elektronischer Systeme.
Die Sperrspannung beträgt 1200 V, der Nennstrom 75 A. Zudem ist B-TRAN® impulsbeständig bis 300 A und eignet sich daher auch für anspruchsvolle Industrieanwendungen.
Optimiertes Design für hohe Leistungsdichte.
Das Bauteil wird in einem isolierten TO-264-Gehäuse mit beidseitiger Kühlung geliefert. Diese Konfiguration maximiert die Wärmeableitung und ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte. Der Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse liegt zwischen 0,10 und 0,12 K/W und trägt so zu einem effizienteren Wärmemanagement bei.
Darüber hinaus verfügt der B-TRAN® über einen positiven Temperaturkoeffizienten. Diese Eigenschaft vereinfacht die Parallelschaltung mehrerer Bauteile und fördert eine gleichmäßige Stromverteilung.
Zielanwendungen
: Ideal Power positioniert diese neue Generation von B-TRAN® für Anwendungen, bei denen Effizienz und Zuverlässigkeit höchste Priorität haben, darunter:
DC-Halbleiter-Leistungsschalter, AC-Leistungsschalter, Batterietrennsysteme, DC-Elektronikschütze und
automatische
Umschalter
.
Diese Anwendungen gewinnen insbesondere in Sektoren wie Energiespeicherung, Infrastruktur für erneuerbare Energien, Rechenzentren, Microgrids, Elektromobilität und industrielle Stromverteilungssysteme an Bedeutung
.
Auf dem Weg zu einer neuen Generation von Halbleiter-Leistungsschaltern:
Die Einführung des Modells IPAD01208A04 ist ein weiterer Schritt in der Strategie von Ideal Power, die B-TRAN®-Technologie in Märkten zu etablieren, in denen Energieeffizienz und Verlustreduzierung entscheidend sind.
Mit einer Betriebsfrequenz von bis zu 10 kHz, geringer parasitärer Induktivität und Kapazität sowie einer speziell für hocheffizientes statisches Schalten optimierten Architektur präsentiert sich das neue Gerät als innovative Alternative für die Entwicklung der nächsten Generation von Schutz- und Steuerungssystemen.
Technisches Datenblatt (Zusammenfassung)
Technologie: B-TRAN® (Bidirektionaler Bipolartransistor)
Sperrspannung: 1200 V
Nennstrom: 75 A
Spitzenstrom: 300 A
Maximale Sperrschichttemperatur: 150 °C
Gehäuse: TO-264 isoliert
Kühlung: doppelseitig
Schaltfrequenz: bis zu 10 kHz
Anwendungen: statische Schalter, DC-Schütze, Batterietrennung und automatische Umschaltsysteme.
