Die zunehmende Verbreitung von Hochvoltbatterien in Elektrofahrzeugen, Drohnen und professionellen Elektrowerkzeugen stellt eine entscheidende Herausforderung dar: den Schutz vor katastrophalen Ausfällen bei externen Kurzschlüssen, bei denen Ströme Tausende von Ampere erreichen können. Der Entlade-MOSFET ist die einzige Komponente, die die Batterie unter diesen extremen Bedingungen isoliert.
„Bei Hochenergie-Akkus ist Robustheit entscheidend. Herkömmliche MOSFET-Designs stehen vor der Wahl: Entweder ein extrem niedriger RDS(on)-Wert für maximale Effizienz oder die notwendige strukturelle Integrität, um hohen Kurzschlussströmen standzuhalten“, so Dr. Phil Rutter, Vice President of Design bei iDEAL Semiconductor. „Die SuperQ™-Plattform löst dieses Dilemma. Unsere proprietäre Zellstruktur bietet den niedrigsten Durchlasswiderstand auf dem Markt und gleichzeitig eine unübertroffene Sicherheitsmarge. Entwickler können so kleinere, zuverlässigere und kostengünstigere Akkusysteme realisieren.“.
Kurzschlusswiderstand 1,4-mal höher
Interne Tests von iDEAL Semiconductor belegten den signifikanten Leistungsvorteil von SuperQ. Ein direkter Vergleich des iS15M2R5S1T (150 V, 2,5 mΩ, TOLL-Gehäuse) mit einem führenden Konkurrenzprodukt ergab Folgendes:
Das SuperQ-Gerät wies eine 1,4-fach höhere Kurzschlussfestigkeit auf als sein nächster Konkurrent. Diese revolutionäre Leistung wird durch eine patentierte Zellstruktur mit einem größeren Leitungsbereich erreicht, wodurch die Leistungsdichte und die strukturelle Integrität unter extremen Belastungsbedingungen maximiert werden.
Für Entwickler von Akkupacks ergeben sich durch diese überlegene SCWC Vorteile auf Systemebene:
Komponentenreduzierung: Da jedes SuperQ-Bauteil einen deutlich höheren Kurzschlussstrom aushält, können Entwickler bis zu 50 % weniger MOSFETs parallel schalten und dabei die gleichen Sicherheitsanforderungen erfüllen.
Kosteneinsparungen: Die Reduzierung der Anzahl und Komplexität der Bauteile führt zu einer erheblichen Senkung der Materialkosten und vereinfacht das Leiterplattendesign.
Effizienz: Ein extrem niedriger RDS(on)-Wert von 2,5 mΩ minimiert Leitungsverluste, verlängert die Batterielebensdauer und reduziert den Aufwand für das Wärmemanagement.
Die SuperQ-Produktreihe ist ab sofort mit Bauteilen bis 200 V verfügbar und bietet Lösungen für Batterieplattformen von 72 V bis über 144 V.
