Der neue IGBT GT20N135SRA zeichnet sich durch eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (V<sub>CE(sat)</sub>) von 1,60 V (typisch) und eine Dioden-Durchlassspannung (V<sub>F</sub>) von 1,75 V aus. Dies entspricht einer Reduzierung von ca. 10 % bzw. 21 % gegenüber herkömmlichen Produkten. Da sowohl der IGBT als auch die Diode bei hohen Temperaturen (TC = 100 °C) verbesserte Leitungsverluste aufweisen, arbeitet das Bauelement effizienter.
Darüber hinaus erleichtert der optimale maximale Wärmewiderstand zwischen dem Übergang und der Verkapselung (Rth(jc)) von 0,48℃/W die thermische Auslegung, da weniger Wärme abgeführt werden muss, was einer Reduzierung von etwa 26 % im Vergleich zu bestehenden Produkten entspricht.
Der neue GT20N135SRA unterdrückt den Kurzschlussstrom mittels eines Resonanzkondensators, der beim Anschließen des Bauteils entsteht. Der maximale Kurzschlussstrom des neuen Produkts beträgt 129 A und ist damit fast ein Drittel niedriger als bei vergleichbaren Produkten. Der sichere Arbeitsbereich (SOA) ist größer, wodurch die Wahrscheinlichkeit eines Ausfalls des IGBTs sinkt und Entwicklern somit deutlich mehr Flexibilität geboten wird.
Das Gerät, das in einem Standard-TO-247-Gehäuse geliefert wird, ist in der Lage, einen maximalen Kollektorstrom (IC) von 40 A zu bewältigen, der bei 100℃ auf 20 A abfällt.
