Die neuen DDR5 MRDIMMs sind unerlässlich, um den steigenden Anforderungen an die Speicherbandbreite in Bereichen wie Künstliche Intelligenz (KI), High-Performance Computing (HPC) und anderen Rechenzentrumsanwendungen gerecht zu werden. Sie bieten Betriebsgeschwindigkeiten von bis zu 12.800 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) und damit eine 1,35-fache Steigerung der Speicherbandbreite gegenüber Lösungen der ersten Generation. Renesas spielte eine zentrale Rolle bei der Entwicklung und dem Einsatz der neuen MRDIMMs und arbeitete dabei eng mit Branchenführern, darunter CPU- und Speicherherstellern, sowie Endkunden zusammen. Renesas
entwickelte und implementierte drei neue Schlüsselkomponenten: den Multiplexed Registered Clock Driver (MRCD) der zweiten Generation RRG50120, den Multiplexed Data Buffer (MDB) der zweiten Generation RRG51020 und den Power Management Integrated Circuit (PMIC) der zweiten Generation RRG53220. Renesas bietet außerdem Temperatursensor- (TS) und serielle Präsenzerkennungs-Konzentratorlösungen (SPD) in Serienproduktion an und ist damit der einzige Hersteller von Speicherschnittstellen, der komplette Chipsatzlösungen für branchenübliche MRDIMMs der nächsten Generation sowie für alle anderen Server- und Client-DIMMs anbietet. Der
Renesas RRG50120 MRCD der zweiten Generation dient in MRDIMMs als Puffer für den Befehls- und Adressbus (CA), Chipauswahlen und Taktsignale zwischen Host-Controller und DRAM. Er verbraucht 45 % weniger Strom als das Gerät der ersten Generation – eine entscheidende Spezifikation für das Wärmemanagement in Hochgeschwindigkeitssystemen. Der RRG51020 Gen2 MDB ist das zweite wichtige Bauteil in MRDIMMs zur Speicherung von Host-CPU-Daten im DRAM. Sowohl der neue Renesas MRCD als auch der MDB unterstützen Geschwindigkeiten von bis zu 12,8 Gigabyte pro Sekunde (Gbit/s). Darüber hinaus bietet der Renesas RRG53220 PMIC der nächsten Generation erstklassigen Schutz vor elektrischer Überlastung und überlegene Energieeffizienz und ist für den Betrieb mit hohem Strom und niedriger Spannung optimiert.
ROHM bringt den RS4P063BPHZG 100V MOSFET für die Fahrzeugsicherheit auf den Markt
ROHM hat den RS4P063BPHZG entwickelt, einen 100-V-MOSFET, der für sicherheitsrelevante Funktionen und Schutzschaltungen in der Automobilindustrie optimiert ist. Das neue Produkt bietet einen branchenführenden* großen sicheren Arbeitsbereich (SOA) über einen breiten Spannungsbereich im Standardgehäuse HPLF5060.
