Die neuen 4,5-kV/1200-A-Module wurden entwickelt, um die Effizienz und Zuverlässigkeit von Wechselrichtern in großen Industrieanlagen und Bahnsystemen in unterschiedlichsten Umgebungen, einschließlich im Freien, zu steigern. Sie verfügen über proprietäre RFC-Dioden (Relaxed Field Cathode) und CSTBT-Strukturen (Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistor), die verschiedene Leistungskennzahlen im Vergleich zu Vorgängerprodukten deutlich verbessern.
Wichtigste technische Innovationen
: Erhöhte Feuchtigkeitsbeständigkeit: Die neuen Module bieten eine etwa 20-fach höhere Feuchtigkeitsbeständigkeit als Vorgängermodelle und verbessern so die Langlebigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Reduzierte Schaltverluste: Das optimierte Design reduziert die gesamten Schaltverluste um ca. 5 % im Vergleich zu früheren Generationen und trägt so zu einer höheren Energieeffizienz bei.
Verbesserte RRSOA-Toleranz: Die Toleranz des sicheren Betriebsbereichs (RRSOA) ist ca. 2,5-mal höher als bei Vorgängermodellen, wodurch die Robustheit des Bauelements unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen verbessert wird.
Reduzierte Anschlussgröße: Durch den Einsatz fortschrittlicher Strukturen zur elektrischen Feldrelaxation konnte das Volumen des Chip-Anschlussbereichs um ca. 30 % reduziert werden. Dies führt zu einem kompakteren Design ohne Leistungseinbußen. Dank
dieser Fortschritte bieten die neuen HVIGBT-Module der XB-Serie sowohl Effizienz- als auch Zuverlässigkeitsverbesserungen für große Wechselrichter und tragen so zum Ziel von Mitsubishi Electric bei, durch effizientere Energiewandlungslösungen Klimaneutralität zu erreichen.
