Die 650-V-GaN-FETs im Anreicherungsmodus von Nexperia bieten RDS(on)-Werte von 80 bis 190 mΩ in verschiedenen 5x6 mm und 8x8 mm großen DFN-Gehäusen. Sie steigern die Leistungsumwandlungseffizienz in Hoch- und Niederspannungsanwendungen (<650 V) für Telekommunikation/Datenkommunikation, Verbraucherladeelektronik, Solarenergie und industrielle Anwendungen. Darüber hinaus eignen sie sich für die Entwicklung bürstenloser Gleichstrommotoren und präziser Mikroserver-Antriebe mit höherem Drehmoment und höherer Leistung. Nexperia bietet außerdem einen 100-V-GaN-FET (3,2 mΩ) im WLCSP8-Gehäuse und ein 150-V-Bauteil (7 mΩ) im FCLGA-Gehäuse an. Diese Geräte eignen sich für eine Vielzahl von Niederspannungs- (<150 V) und Hochleistungsanwendungen, um beispielsweise effizientere DC/DC-Wandler in Rechenzentren, schnelleres Laden (Elektromobilität und USB Typ-C™), kleinere LiDAR-Transceiver, rauschärmere Class-D-Audioverstärker und Verbrauchergeräte mit höherer Leistungsdichte wie Mobiltelefone, Laptops und Videospielkonsolen zu realisieren.

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