Da herkömmliche Relais ungeeignet sind, werden aufgrund ihrer Halbleitertechnik und kompakten Bauweise häufig Fotorelais eingesetzt. Zur Steuerung wird typischerweise ein FPGA verwendet, doch da diese zunehmend mit 1,8 V betrieben werden, kann die Kompatibilität problematisch sein.
Der neue TLP3412SRLA bietet mit nur 1,6 V die niedrigste Fotorezeptor-Betriebsspannung (VFON) aller Zeiten von Toshiba und eignet sich daher für den Einsatz mit 1,8-V-FPGAs. Er verfügt über einen Widerstand auf der Primärseite (LED), der einen spannungsgesteuerten Betrieb ohne externe Widerstände ermöglicht.
Halbleiter werden oft bei erhöhten Temperaturen getestet, und da Fotorelais auf der Prüfplatine in der Nähe des Prüflings montiert sind, müssen sie hohen Umgebungstemperaturen standhalten. Das neue Bauteil hat eine maximale Betriebstemperatur von 125 °C und gewährleistet so einen ausreichenden Temperaturspielraum im Gerät.
Aufgrund des hohen Durchsatzbedarfs bei Halbleitertests werden oft mehrere Prüflinge parallel getestet, was sehr dichte Prüfplatinen erfordert. Der TLP3412SRLA ist im originalen kleinen S-VSON4T-Gehäuse von Toshiba untergebracht, das nur 1,45 mm × 2,0 mm × 1,4 mm misst.
Das neue Fotorelais ist für einen 1-Form-A (NO)-Kontakt ausgelegt und hat einen Dauerstrom (ION) von 400 mA bzw. einen Impulsstrom (tON/tOFF) von 1200 mA. Der Durchlasswiderstand beträgt typischerweise 1,0 Ω, und die Schaltzeiten (tON/tOFF) liegen unter 350 μs bzw. 150 μs. Die Isolationsspannung (BVs) beträgt mindestens 500 Vrms.
Der TLP3412SRLA eignet sich nicht nur ideal für Halbleitertests, sondern auch für eine Vielzahl anspruchsvoller industrieller Anwendungen, einschließlich speicherprogrammierbarer Steuerungen (SPS).
40V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs in L-TOGL™-Gehäusen
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei neue 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie auf den Markt gebracht, die die Fahrzeugentwicklung der nächsten Generation maßgeblich beeinflussen werden. Die Modelle XPQR3004PB und XPQ1R004PB nutzen das innovative Großtransistor-Gehäuseformat….
