ROHM erweitert kontinuierlich sein Portfolio dank umfassender Fertigungskompetenz und präsentiert die ersten 650-V/6-, 8- und 10-A-SBDs im TO220AC-Gehäuse. Diese neuen Dioden zeichnen sich durch die niedrigsten Spannungs- und Innenwiderstände über den gesamten Temperaturbereich aller kommerziell erhältlichen SiC-SBDs aus. Darüber hinaus bieten sie eine hohe Stoßstromfestigkeit und eignen sich daher ideal für Stromversorgungsanwendungen.

SiC-Dioden weisen im Vergleich zu siliziumbasierten Bauelementen stabile Temperatureigenschaften und extrem kurze Sperrverzögerungszeiten auf und eignen sich daher ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen. Dank ihrer extrem stabilen, niedrigen Vorwärtsspannung bei hohen Temperaturen gewährleisten SiC-SBDs zudem einen minimalen Sperrstrom.

Im Vergleich zur einstufigen SBD-Struktur der zweiten Generation verfügt die dritte Generation über eine PN-Übergangsstruktur mit Schottky-Barriere, was die Langlebigkeit im bipolaren Betrieb gewährleistet.
Insgesamt tragen diese Merkmale zum anhaltenden Trend hin zu hoher Effizienz, hoher Leistungsdichte und besonders robusten Designs bei.

Wichtigste Spezifikationen [Produktnennleistung 650 V / 10 A]
V_{_F} bei 10 A (25°): typ. 1,35
V V_{_F} bei 10 A (150°): typ. 1,44 V
I_{_R} (25°): typ. 0,03 μA bei 650 V

Maximale Temperatur: 175°
|_FSM 50Hz, 1 Impuls: 82A

SiC-Schottky-Diodes der dritten Generation im A-220AC-Gehäuse sind ab sofort erhältlich.
Niedrigstromfähige
Bauelemente im D2PAK-Gehäuse (LPTL) werden im Juni verfügbar sein.

Weitere Informationen oder ein Angebot