Zu seinen Anwendungsgebieten gehören Server in Rechenzentren, Schaltnetzteile für Industrieanlagen und Stromaufbereiter für Photovoltaikgeneratoren.
Der TK024N60Z1 weist einen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) von maximal 0,024 Ω auf – den niedrigsten Wert der 600-V-DTMOSVI-Serie. Dies verbessert die Effizienz des Netzteils und reduziert die Wärmeentwicklung. In Kombination mit dem TO-247-Gehäuse, das eine hervorragende Wärmeableitung ermöglicht, bietet der TK024N60Z1 optimale Wärmemanagement-Eigenschaften.
Wie andere MOSFETs der DTMOSVI 600V-Serie profitiert auch der TK024N60Z1 von einem optimierten Gate- und Prozessdesign. Dadurch wird der Drain-Source-Widerstand pro Flächeneinheit um ca. 13 % reduziert. Noch wichtiger ist, dass das Produkt aus Drain-Source-Widerstand und Gate-Drain-Last im Vergleich zu den konventionell gefertigten Produkten der DTMOSIV-H-Serie von Toshiba mit gleicher Drain-Source-Spannung um ca. 52 % sinkt. Dies bedeutet, dass die DTMOSVI-Serie, einschließlich des TK024N60Z1, ein besseres Verhältnis zwischen Leitungs- und Schaltverlusten bietet und somit zur Verbesserung des Wirkungsgrads von Schaltnetzteilen beiträgt.
Zur weiteren Verbesserung der Stromversorgungseffizienz bietet Toshiba Tools zur Unterstützung des Schaltungsdesigns für Schaltnetzteile an. Dazu gehören das G0 SPICE-Modell zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion und die hochpräzisen G2 SPICE-Modelle zur Simulation von Transientenverhalten.
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TK024N60Z1 ist ein Beispiel für Toshibas Engagement, die DTMOSVI-Serie weiter auszubauen und die Energieeinsparung durch die Reduzierung von Leistungsverlusten in Schaltnetzteilen zu unterstützen.
