Die neuen Bauelemente der Serie TRSxxx65H nutzen ein neuartiges Schottky-Metall. Der SiC-SBD-Chip der 3. Generation optimiert die Schottky-Barrierenstruktur (JBS) der Produkte der 2. Generation und reduziert dadurch das elektrische Feld an der Schottky-Grenzfläche sowie den Leckstrom, was zu einer höheren Effizienz führt.
Die Bauelemente der 3. Generation erreichen eine ausgezeichnete niedrige Durchlassspannung (VF) von 1,2 V (typ.). Dies entspricht einer Reduzierung um 17 % gegenüber den Produkten der 2. Generation. Die neuen Produkte der 3. Generation weisen verbesserte Offset-Werte zwischen VF und der gesamten kapazitiven Last (QC) auf, die beim TRS6E65H typischerweise 17 nC beträgt.
Das Verhältnis von Spannung zu Sperrstrom (IR-Verhältnis) wurde im Vergleich zu Produkten der zweiten Generation ebenfalls verbessert; der TRS6E65H erreicht einen typischen IR-Wert von 1,1 µA. All diese Verbesserungen reduzieren die Verlustleistung und tragen zu einer höheren Effizienz der Endgeräte bei.
Die Bauelemente der Serie TRSxxx65H sind in der Lage, Gleichstrom-Vorwärtsströme (IF(DC)) bis zu 12 A und nicht-repetitive Rechteckwellen-Stoßströme (IFSM) bis zu 640 A zu überstehen. Sieben der neuen Bauelemente sind in TO-220-2L-Gehäusen untergebracht, während die übrigen fünf in kompakten, flachen DFN8×8-SMD-Gehäusen geliefert werden.
