Diskret

Details

Kategorie: Diskret

14. April 2014

Microchip kündigt ein neues 4-Kb-I2C™-SPD-EEPROM (Serial Presence Detect) an: 34AA04. Dieses Bauteil ist speziell für die Verwendung mit der nächsten Generation von DDR4-SDRAM-Modulen (Double Data Rate 4) konzipiert, die in Hochleistungs-PCs und Laptops eingesetzt werden, und unterstützt gleichzeitig ältere DDR2/3-Plattformen.

Details

Kategorie: Diskret

20. März 2014

Samsung Electronics Co., Ltd. hat die Massenproduktion seines fortschrittlichsten DDR3-Speichers angekündigt, der auf einer neuen 20-Nanometer-Prozesstechnologie basiert und in einer breiten Palette von Computeranwendungen eingesetzt werden soll.

Details

Kategorie: Diskret

12. März 2014

Toshiba Electronics Europe hat sein Angebot an BENAND™ SLC NAND-Flash-Speichern mit integrierter 8-Bit-Fehlerkorrektur (ECC) erweitert. Mit der Einführung des neuen BENAND SLC 8Gb 24nm können Hersteller die neueste 24-nm-Technologie in Geräten einsetzen, die ursprünglich für 4xnm-NAND ausgelegt waren

Details

Kategorie: Diskret

14. Februar 2014

I'M Intelligent Memory, ein in Hongkong ansässiger „fabless“ DRAM-Hersteller, steigt mit Kapazitäten von bis zu 4 Gigabit pro Chip in den Markt für industrielle Speicherkomponenten ein.

Details

Kategorie: Diskret

5. März 2013

Alliance Memory präsentiert den neuen, schnellen CMOS-Synchron-DRAM (SDRAM) mit einer Speicherdichte von 16 Mb im 50-poligen TSOP-II-Kunststoffgehäuse (400 mil). Der AS4C1M16S bietet eine schnelle Taktzugriffszeit von 5,4 ns bei einem Taktzyklus von 7 ns und eine hohe Taktfrequenz von 143 MHz.

Details

Kategorie: Diskret

12. Februar 2013

Kingston Technology Europe hat den HyperX® Beast vorgestellt, das neueste Mitglied der HyperX-Produktfamilie. Er vereint Spitzenleistung mit maximaler Speicherkapazität und Intel XMP Ready-Kompatibilität. Mit seinem markanten und aggressiven Kühlkörperdesign ist der HyperX Beast ideal für Gamer, Content Creator und alle anderen Nutzer, die Wert auf leistungsstarke Hardware und innovatives Design legen.

Details

Kategorie: Diskret

5. Dezember 2012

Flash-Speicher sind weiterhin stark gefragt. Intelligente mobile Endgeräte wie Tablets und Smartphones treiben den Flash-Speicher- und Halbleitermarkt allgemein an, wobei Tablets in den kommenden Jahren voraussichtlich einen noch größeren Marktanteil gewinnen werden. Laut einigen Studien wird der Markt für NAND-Flash-Speicher, die gängigste Art von Flash-Speicher, zwischen 2011 und 2015 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate von 7 % verzeichnen.

Details

Kategorie: Diskret

8. Oktober 2012

Microchip hat die Erweiterung seiner SRAM-Serie um vier neue Bausteine ​​mit höherer Kapazität und Geschwindigkeit angekündigt. Es handelt sich dabei um die ersten SRAM-Serien auf dem Markt, die mit 5 V betrieben werden können – einem Standard, der häufig in der Automobilindustrie und in industriellen Anwendungen eingesetzt wird.

Details

Kategorie: Diskret

4. Januar 2012

SemiSouth Laboratories, Inc. hat bekannt gegeben, dass sein Siliziumkarbid-JFET in kleinen 0,5-Liter-Wechselrichtern eingesetzt wurde, um eine Leistungsdichte von 30 kWh/l zu erreichen. Werden Wechselrichter dieser Größe und Kapazität mit Photovoltaikmodulen kombiniert, könnte ein einziger Wechselrichter genügend Strom für bis zu fünf Haushalte liefern.

Details

Kategorie: Diskret

15. November 2011

International Rectifier bringt eine Familie von 600V IGBTs auf den Markt, die für den Einsatz in der Automobilindustrie zugelassen und für Anwendungen mit variabler Drehzahlregelung von Motoren sowie für die Stromversorgung in Elektro- und Hybridfahrzeugen optimiert sind.

Details

Kategorie: Diskret

14. Oktober 2011

International Rectifier (IR) erweitert sein PQFN-Angebot um ein 2 mm x 2 mm und ein 3,3 mm x 3,3 mm großes PQFN-Gehäuse. Die neuen Gehäuse integrieren zwei HEXFET®-MOSFETs und nutzen IRs fortschrittlichste Siliziumtechnologie. Sie bieten eine kostengünstige Lösung mit hoher Packungsdichte für Anwendungen mit geringem Stromverbrauch, wie z. B. Smartphones, Tablet-PCs, Camcorder, Digitalkameras, Gleichstrommotoren und kabellose induktive Ladegeräte sowie Laptops, Server und Netzwerkgeräte.

Details

Kategorie: Diskret

6. September 2011

Rohm Semiconductor erweitert sein Angebot an schnellschaltenden, hochspannungsfesten MOSFETs für PFC-Schaltungen in Schaltnetzteilen und Hauptschalterschaltungen. Sie sind in verschiedenen Gehäuseformen erhältlich, darunter SMD (z. B. CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) und herkömmliche Steckgehäuse (z. B. A-3PF).