Die neuen Bauelemente decken einen breiten Strombereich ab und bieten einen Kurzschlussstrom von > 5 ms, eine niedrige Vce(on)-Spannung und einen positiven Temperaturkoeffizienten von Vce(on) in verschiedenen Motorantriebssystemen, von elektrischen Klimaanlagen bis hin zu Hauptumrichtern für Traktionssysteme, die eine hohe Leistungsdichte zwischen 24 und 160 A erfordern. Weitere Merkmale, die der gesamten Familie gemeinsam sind, sind ihr sicherer Betriebsbereich bei Sperrspannung (RBSOA), eine integrierte Soft-Recovery-Diode und eine Sperrschichttemperatur von maximal 175 °C.
Diese neue Familie von 600V IR IGBTs für Automobilanwendungen zeichnet sich durch geringe Leitungs- und Schaltverluste aus und ist ideal für verschiedene Anwendungen zur Drehzahlregelung von Motoren, die in Elektro- und Hybridfahrzeugplattformen eingesetzt werden.
Die Automotive-MOSFETs von IR werden dynamischen und statischen Leistungstests sowie einer 100% automatisierten Wafer-Sichtprüfung unterzogen. Dies ist Teil der Automotive-Qualitätsinitiative von IR, die auf Null Fehler abzielt. Alle diese neuen Bauelemente sind umweltfreundlich und werden unter Verwendung von bleifreien und RoHS-konformen Materialien gemäß der IR-Liste für die Automobilindustrie hergestellt.
