Diese Familie arbeitet mit Strömen von 4 A bis 20 A in der Einzelkonfiguration und mit Strömen von 16 A bis 40 A in der Doppelkonfiguration.
SiC-Technologie:
SiC-basierte Breitband-Schottky-Dioden sind für Hochleistungs-AC/DC- und DC/DC-Wandler konzipiert, z. B. für PFC und Ausgangsgleichrichtung in DC/DC-Anwendungen mit ultrahohen Frequenzen. Die SiC-Diode stellt einen Fortschritt in der Wandlereffizienz dar und verbessert Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die Schaltverluste des aktiven Schalters werden reduziert, wodurch die Einschaltspannung minimiert wird. Höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten lassen sich ohne Kühlungsprobleme erzielen.
Vorteile der Vishay SiC-Technologie
: • Nahezu keine Sperrverzögerungsverluste, unabhängig von Temperatur und Betriebsbedingungen.
• Rein kapazitives Schalten ohne Verluste innerhalb der Diode.
• Hoher Spitzenstrom.
• Hohes Verhältnis von Vorwärtsstrom zu Kapazität.
• Geringe Leckströme bei hohen Temperaturen.
• Geringe induzierte Verluste im aktiven Schalter.
• Verbesserte EMV.
Vishay SiC-Diodenfamilie:
Das Vishay SiC-Portfolio deckt die gängigsten Nennströme ab, von klein bis groß. Alle Bauelemente haben eine Durchbruchspannung von 650 V und eine maximale Einschalttemperatur (TJ) von 175 °C. Verfügbare Gehäuseformen sind 2L TO-220AC (Einzeldiode) oder 3L TO-247AD (Doppeldiode mit gemeinsamer Kathode).
