Die neuen MOSFETs TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z und TK190E65Z erreichen eine um 40 % niedrigere Gütezahl (FoM) aus Drain-Source-Widerstand (R<sub>DSON</sub>)und Drain-Gate-Ladung (Q<sub>gd</sub>)im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation. Dies führt zu einer deutlichen Reduzierung der Schaltverluste. Folglich profitieren Schaltungen mit diesen neuen Bauelementen von einer höheren Effizienz. Die Leistungssteigerung kommt sowohl neuen Schaltungen als auch Upgrades bestehender Schaltungen zugute.
 
Die vier neuen Bauelemente bieten eine Drain-Source-Spannung (V<sub>DSS</sub>) von 650 V und einen Drainstrom (I<sub>D) von bis zu 30 A. Der Drain-Source-Einschaltwiderstand (R<sub>DSON</sub>) beträgt lediglich 0,09 Ω, und die Gate-Drain-Ladung (Q<sub>gd</sub>) kann bis zu 7,1 nC betragen, was einen verlustarmen Betrieb bei hohen Geschwindigkeiten ermöglicht. Alle Bauelemente sind im branchenüblichen TO-220-Gehäuse mit bedrahteter Lochung erhältlich.
 
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