Die Auslieferung von Produktmustern mit der neuen Prozesstechnologie beginnt heute.
BiCS basiert auf einem hochmodernen 48-Lagen-Stapelverfahren, das die Schreib-/Löschbeständigkeit verbessert und die Schreibgeschwindigkeit erhöht. Dadurch eignet es sich für verschiedene Anwendungen, insbesondere für Solid-State-Drives (SSDs).
Seit der weltweit ersten Ankündigung der 3D-Flash-Speichertechnologie[3] hat Toshiba die Entwicklung kontinuierlich auf die Optimierung der Massenproduktion ausgerichtet. Um dem Marktwachstum ab 2016 gerecht zu werden, fördert Toshiba aktiv die Migration zu 3D-Flash-Speicher durch die Einführung eines Produktportfolios mit Schwerpunkt auf Anwendungen mit hoher Kapazität, wie z. B. SSDs.
Das Unternehmen bereitet außerdem die Massenproduktion in der neuen Fab2-Anlage am Standort Yokkaichi, seinem NAND-Flash-Speicherwerk, vor. Fab2 befindet sich im Bau und wird in der ersten Jahreshälfte 2016 fertiggestellt, um die steigende Nachfrage nach Flash-Speicher zu decken.
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Anmerkungen:
[1] Stand: 26. März 2015. Toshiba-Umfrage.
[2] Eine vertikal gestapelte Struktur von Flash-Speicherzellen auf einer Siliziumebene mit einer deutlich höheren Speicherdichte als herkömmlicher NAND-Flash-Speicher, bei dem die Zellen flach auf einer Siliziumebene angeordnet sind.
[3] Toshiba-Präsentation, 12. Juni 2007.
