Mit jeder neuen Produktgeneration stehen die Entwickler tragbarer Geräte vor der Herausforderung, mehr Funktionalität auf kleinerem Raum bei gleichzeitig geringerem Stromverbrauch zu bieten. Um dieser Anforderung gerecht zu werden, verfügen die vorgestellten Geräte über ATCSR (Auto Temperature Compensated Self-Refresh), das den Stromverbrauch bei niedrigen Umgebungstemperaturen minimiert. Zusätzlich reduziert die PASR-Funktion (Partial Array Self-Refresh) den Stromverbrauch, indem nur kritische Daten aktualisiert werden. Der Deep Low Power (DPD)-Modus ermöglicht einen extrem niedrigen Stromverbrauch, wenn keine Datenspeicherung erforderlich ist.
Da die Anzahl der Anbieter von mobilem DDR-SDRAM weiter sinkt, bietet Alliance Memory Entwicklern eine neue Bezugsquelle für ihre Anforderungen an energieeffizienten Speicher. Die Speichermodule AS4C16M16MD1, AS4C32M16MD1, AS4C16M32MD1, AS4C64M16MD1, AS4C32M32MD1 und AS4C64M32MD1 des Unternehmens sind zuverlässige, direkt einsetzbare und pinkompatible Ersatzmodule für eine Reihe ähnlicher Lösungen mit hoher Bandbreite und leistungsstarken Speichersystemen in tragbaren Unterhaltungselektronikgeräten, Medizingeräten und Netzwerkgeräten.
Dank ihrer Dual-Data-Rate-Architektur ermöglichen mobile DDR-SDRAMs einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit Taktraten von 166 MHz und 200 MHz. Für optimale Leistung unter rauen Umgebungsbedingungen sind alle Bausteine in erweiterten Temperaturbereichen (-30 °C bis +85 °C) und industriellen Bereichen (-40 °C bis +85 °C) erhältlich. Mobile DDR-SDRAMs bieten vollsynchronen Betrieb und programmierbare Lese- oder Schreib-Burstlängen von 2, 4, 8 oder 16 Bytes. Eine Preload-Funktion ermöglicht das Laden einer selbstprogrammierten Zeile am Ende der Burstsequenz. Benutzerfreundliche Refresh-Funktionen umfassen Auto- und Self-Refresh. Die Bausteine sind RoHS-konform und blei- sowie halogenfrei.
