RETs sparen Platz und senken die Herstellungskosten, indem sie den Vorwiderstand und den Emitter-Vorwiderstand im selben SOT23- (250 mW Ptot) oder SOT323-Gehäuse (235 mW Ptot) wie den Transistor integrieren. Duale RETs (zwei Transistoren und zwei Vor- und Emitter-Vorwiderstände) sind auch im SOT363-Gehäuse mit einer Gesamtleistung von 350 mW erhältlich und ermöglichen so eine noch höhere Integration und weitere Kosteneinsparungen.
Die neue Serie (NHDTx und NHUMx) umfasst 42 Bauteile mit PNP/NPN-Kombinationen. Diese verfügen über die gleichen Vorspannungswiderstandskombinationen wie die 50-V-Bauteile von Nexperia. Die Bauteile haben eine Strombelastbarkeit von 100 mA und sind nach AEC-Q101 zugelassen.
Frank Matschullat, Produktgruppenmanager bei Nexperia, erklärt: „Entwicklungsingenieure, die an neuen Anwendungen für Elektrofahrzeuge arbeiten, können ihre Systeme mit den neuen RETs von Nexperia zukunftssicher gestalten. Sie vereinfachen das Schaltungsdesign, sparen Platz auf der Leiterplatte, verkürzen die Bestückungszeiten und erhöhen die Zuverlässigkeit. Neben 48-V-Treiberschaltungen für die Automobilindustrie profitieren auch allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen sowie andere digitale Systeme von diesen neuen Hochspannungsbauelementen.“.
Die 80V RETs in den Gehäusen SOT23, SOT323 und SOT363 sind jetzt erhältlich.
