Die bereits in Produktion befindliche 3D-XPoint-Technologie stellt einen bedeutenden Fortschritt in der Speicherverarbeitungstechnologie dar und markiert die erstmalige Einführung einer neuen Kategorie seit dem Aufkommen des NAND-Flash-Speichers im Jahr 1989.
Die nichtflüchtige Natur der Technologie macht sie auch zu einer hervorragenden Wahl für eine Vielzahl von Speicheranwendungen mit geringer Latenz, da die Daten beim Ausschalten des Geräts nicht gelöscht werden.
Die innovative Crossover-Architektur mit weniger Transistoren erzeugt ein dreidimensionales Schachbrettmuster, bei dem sich die Speicherzellen an den Schnittpunkten von Wort- und Bitleitungen befinden. Dadurch können die Zellen einzeln angesteuert werden. Das Ergebnis: Daten können in kleinen Blöcken geschrieben und gelesen werden, was einen schnelleren und effizienteren Lese- und Schreibvorgang ermöglicht.
Weitere Details zur 3D-XPoint-Technologie:
• Cross-Point-Array-Struktur – Senkrechte Leiterbahnen verbinden 128 Millionen dicht gepackte Speicherzellen. Jede Speicherzelle speichert ein einzelnes Bit an Daten. Diese kompakte Struktur ermöglicht hohe Leistung und hohe Bitdichte.
• Stapelbar – Zusätzlich zur engen Cross-Point-Array-Struktur sind die Speicherzellen in mehreren Schichten gestapelt. Die ursprüngliche Technologie speichert 128 GB pro Chip in zwei Speicherschichten. Zukünftige Generationen dieser Technologie können die Anzahl der Speicherschichten sowie die herkömmliche lithografische Strukturvergrößerung erhöhen und so die Systemkapazität weiter steigern.
• Selektor – Der Zugriff auf die Speicherzellen und das Schreiben oder Lesen von Daten erfolgt durch Variieren der an jeden Selektor gesendeten Spannung. Dadurch entfällt die Notwendigkeit von Transistoren, was die Kapazität erhöht und gleichzeitig die Kosten senkt.
• Schnell schaltende Zelle – Dank der geringen Zellgröße, des schnell schaltenden Selektors, des Cross-Point-Arrays mit geringer Latenz und des
schnellen Schreibalgorithmus kann die Zelle Zustände schneller ändern als jede andere derzeit verfügbare nichtflüchtige Speichertechnologie.
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