Renesas hat ein neues Wafer-Herstellungsverfahren für MOSFETs (REXFET-1) entwickelt, das es ermöglicht, den Einschaltwiderstand (den Widerstand zwischen Drain und Source im eingeschalteten Zustand) der neuen Bauelemente um 30 % zu reduzieren. Der niedrigere Einschaltwiderstand trägt zu einer signifikanten Verringerung der Leistungsverluste in den Designs unserer Kunden bei.
Das REXFET-1-Verfahren ermöglicht den neuen MOSFETs zudem eine Reduzierung der Gate-Leitungskapazität (Qg) um 10 % (die Ladungsmenge, die zum Anlegen einer Spannung an das Gate benötigt wird) und der Gate-Leitungskapazität (Qgd) um 40 % (die Ladungsmenge, die während der Miller-Plateau-Phase in das Gate injiziert werden muss).

Die neuen MOSFETs RBA300N10EANS und RBA300N10EHPF von Renesas zeichnen sich neben ihren hervorragenden elektrischen Eigenschaften durch die branchenüblichen Gehäuse TOLL und TOLG aus. Sie sind mit Bauteilen von Drittanbietern kompatibel und 50 Prozent kleiner als herkömmliche TO-263-Gehäuse. Das TOLL-Gehäuse bietet zudem benetzbare Kanten für die optische Inspektion.