Laut Unternehmen ermöglicht die neue Technologie eine bis zu 30% höhere Leistungsdichte und Effizienz sowie eine Reduzierung der Verluste um bis zu 35%. Dies erleichtert die Entwicklung kompakterer Geräte für Elektrofahrzeuge, KI-Rechenzentren und industrielle Anwendungen. EliteSiC M4 zielt darauf ab, den steigenden Strombedarf zu decken, ohne die Systemgröße, den Kühlbedarf oder die Energieverluste proportional zu erhöhen.
Grabenarchitektur zur Verbesserung der Schalteffizienz
Die neue EliteSiC M4-Generation bietet im Vergleich zur Vorgängerplattform Verbesserungen beim Fahr- und Schaltverhalten. Zu den wichtigsten technischen Weiterentwicklungen zählen:
Reduzierung des spezifischen Leitwiderstands (RSP) um 20 bis 50 % bei gleichzeitig höherer Schaltgeschwindigkeit.
67% Verbesserung der Leistungskennzahlen beim harten Umschalten.
50% Verbesserung der Soft-Switching-Kennzahlen.
Kompatibilität mit verschiedenen Gehäuseformen, einschließlich Oberflächenmontage mit Topkühlung und Hochleistungsmodulen.
Geeignet für Temperaturen ab 185 °C, vorgesehen für anspruchsvolle Anwendungen.
Diese Eigenschaften ermöglichen geringere Energieverluste und die Entwicklung leistungsstärkerer Stromrichter auf engstem Raum.
KI-Anwendungen in Elektrofahrzeugen und Rechenzentren
Im Automobilsektor ist EliteSiC M4 primär für Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen konzipiert, wo der Wirkungsgrad Reichweite, thermisches Verhalten und Systemgröße beeinflusst. Die höhere Leistungsdichte ermöglicht zudem eine optimierte Auslegung elektrischer Antriebssysteme.
Die Plattform ist auch für Solaranlagen, Energiespeicher und andere Hochspannungsanwendungen konzipiert. In diesen Bereichen kann die Reduzierung von Umwandlungsverlusten zu einer verbesserten Energieausnutzung und einem geringeren Kühlbedarf beitragen. Laut Achyut Shah, Präsident der Power Solutions Group von onsemi, muss die neue Energieinfrastruktur mehr Leistung effizienter und auf kleinerem Raum bereitstellen.
Verfügbarkeit von EliteSiC M4 in 750 V und 1200 V
EliteSiC M4 ist jetzt als 750-V-Bare-Die-Chip für Traktionswechselrichter in der Automobilindustrie erhältlich. Onsemi plant, die Plattform ab 2027 mit neuen Teilenummern und verschiedenen Spannungsstufen bis zu 1200 V zu erweitern.
