Diese in kompakten SOT-1118 (UDFN6)-Gehäusen untergebrachten MOSFETs zeichnen sich durch hervorragende Wärmeableitung und einen niedrigen Drain-Einschaltwiderstand [RDS(ON) = 25 mΩ (typ.) @ N-Kanal, VGS = 4,5 V] aus. Dank dieser Eigenschaften eignen sie sich für den Einsatz als Leistungsmanagementschalter und DC/DC-Wandler in verschiedenen mobilen Geräten wie Smartphones und Tablets. Die SSM6L61NU und SSM6N61NU können auch in Batteriemanagement-Anwendungen und zum Lastschalten in Anwendungen mit USB-Typ-C-Schnittstellen verwendet werden.
Mit einem branchenführenden N-Kanal-Einschaltwiderstand von 25 mΩ[1] tragen die neuen MOSFETs zu reduzierten Leistungsverlusten in Netzteilen bei und verlängern die Betriebsdauer batteriebetriebener Geräte. Der SSM6L61NU ist ein komplementärer Baustein, der SSM6N61NU ein Dual-N-Kanal-Baustein. Bei Verwendung in USB-Typ-C-Anwendungen können die SSM6L61NU und SSM6N61NU zwischen dem Ausgangsspannungsausgang (Vout) des Power-Management-ICs und dem SoC oder an einer anderen Stelle im Schaltkreis platziert werden.
Das kompakte Gehäuse mit Abmessungen von nur 2 mm x 2 mm verbessert das Verlustleistungsverhältnis (PD = 1 W) und reduziert die MOSFET-Grundfläche im Vergleich zu Modellen im PS-8-Gehäuse um 50 %.
[1] Im Vergleich zu einem N-Kanal eines UDFN6-verkapselten Produkts, gemäß einer von Toshiba durchgeführten Umfrage (Stand: November 2015).
