Der IRG7PK35UD1PbF, der eine Diode mit extrem niedriger Durchlassspannung im selben Gehäuse integriert, nutzt die Gen7-Dünnwafer-Trench-Technologie von IR für extrem niedrige VCE(ON) und ultraschnelles Schalten. Dadurch werden minimale Leitungs- und Schaltverluste erzielt und die Systemeffizienz in Induktionsheizanwendungen gesteigert. Der erweiterte Spannungsbereich bis zu 1400 V ermöglicht die Entwicklung von einseitig terminierten, parallelen Resonanzwandlern mit höherer Ausgangsleistung und bietet verbesserten Schutz für robustere Designs.
 
Der IRG7PK35UD1PbF erweitert die etablierte IGBT-Familie von IR für Soft-Switching-Anwendungen bis zu 1400 V und damit den Leistungsbereich von Induktionsheizsystemen. IRs Spezialisierung auf Leistungsanwendungen ermöglicht die Optimierung von Bauelementen für die technischen Anforderungen verschiedenster Stromversorgungssysteme. Für
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