Das MG1500FXF1US71 PMI (IEGT-Kunststoffgehäusemodul) integriert einen N-Kanal-IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) und eine schnelle Erholungsdiode aus SiC (FRD) in ein Gehäuse mit einer Oberfläche von nur 140 mm x 190 mm.
Das neue Modul von Toshiba spart Energie, Platz und Gewicht und reduziert die Geräuschentwicklung in Hochleistungs-Schaltumrichtern und Motorsteuerungen. Zu den Zielanwendungen zählen Bahnstromversorgung, industrielle Motorsteuerung, Systeme für erneuerbare Energien sowie Stromübertragung und -verteilung.
Der Einsatz einer SiC-Schottky-Barrierediode (SBD) reduziert den Sperrstrom deutlich und führt im Vergleich zu Siliziumalternativen zu einer entsprechenden Verringerung der Einschaltverluste. Durch die Kombination der Diode mit einem verbesserten internen Gehäusedesign zur Reduzierung parasitärer Induktivitäten erreicht das MG1500FXF1US71 bis zu 97 % geringere Sperrverluste als ein Modul mit einer herkömmlichen Siliziumdiode.
Die MG1500FXF1US71 bietet eine Nennisolationsspannung von 6000 V AC (effektiv pro Minute) und kann einen maximalen Kollektor-Abschaltstrom von 3000 A verarbeiten. Die Kollektorverlustleistung (bei 25 °C) beträgt 5000 W. Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C ist mit den erweiterten Temperaturbereichen kompatibel, die für die Zielanwendungen charakteristisch sind.
Im Rahmen der Entwicklung des 3300-V-, 1500-A-Hybridmoduls wurde dieses in die Konstruktion eines Bahnstromumrichters integriert. Durch den Einsatz des Moduls konnte die Gesamtgröße der Motorsteuerungsbaugruppe (einschließlich des Kühlsystems) um 40 % reduziert werden. Darüber hinaus trug das Modul zur Geräuschreduzierung und Verbesserung des Fahrkomforts bei.
