Die neuen Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der die Leitungsverluste deutlich reduziert. Sie sind als 20-V- und 30-V-Bauelemente in N-Kanal- und P-Kanal-Konfigurationen erhältlich. Dank ihrer maximalen Gate-Steuerung ab 12 Vgs eignen sie sich ideal für Batterieschutzschaltungen mit zwei in Reihe geschalteten Zellen. Der IRL6297SD bietet zwei 20-V-N-Kanal-MOSFETs in Common-Drain-Konfiguration in einem kompakten und thermisch effizienten DirectFET® Small Can-Gehäuse.
 
Das umfangreiche Portfolio an Batteriemanagement-MOSFETs von IR ist sowohl in Standardgehäusen als auch als Dual Small Can DirectFET® für kompakte Designs verfügbar. Aufgrund des niedrigen Rds(on) dieser Plattform können die Bauelemente größere MOSFETs ersetzen, was Platz auf der Leiterplatte spart und die Systemkosten senkt.
 
Alle Bauelemente sind MSL1- und RoHS-konform und frei von Blei, Bromid und Halogenen.

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