insbesondere im Bereich industrieller Anlagen und Automobilsysteme. Für diese Markteinführung wurde die Gehäusefertigung an ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD. (nachfolgend ATX genannt), einen erfahrenen OSAT-Anbieter (Outsourced Semiconductor Assembly and Testing), ausgelagert.
Die Verbesserung der Effizienz von Motoren und Stromversorgungen, die den Großteil des weltweiten Stromverbrauchs ausmachen, ist zu einer zentralen Herausforderung für die Dekarbonisierung der Gesellschaft geworden. Da Leistungselektronik eine Schlüsselrolle bei der Effizienzsteigerung spielt, wird erwartet, dass die Verwendung neuer Materialien wie SiC (Siliziumkarbid) und GaN (Galliumnitrid) die Effizienz von Stromversorgungen weiter verbessern wird.
ROHM begann im April 2023 mit der Serienproduktion seiner 650-V-GaN-HEMTs der ersten Generation und brachte anschließend Leistungsstufen-ICs auf den Markt, die einen Gate-Treiber und einen 650-V-GaN-HEMT in einem einzigen Gehäuse vereinen. Nun hat ROHM das Produkt weiterentwickelt, indem es Elemente der zweiten Generation in ein TOLL-Gehäuse integriert und dieses dem bestehenden DFN8080-Gehäuse hinzugefügt hat. Dadurch stärkt ROHM sein Angebot an 650-V-GaN-HEMT-Gehäusen und reagiert so auf die Marktnachfrage nach noch kleineren und effizienteren Hochleistungsanwendungen.
Die neuen Produkte integrieren GaN-Si-Chips der zweiten Generation in einem TOLL-Gehäuse und erreichen branchenführende Werte in der Kennzahl RDS(on) × Qoss, die den Einschaltwiderstand mit der Ausgangslast korreliert. Dies trägt zu einer stärkeren Miniaturisierung und höheren Energieeffizienz in Stromversorgungssystemen bei, die hohe Spannungsfestigkeit und schnelles Schalten erfordern.
Um die Massenproduktion zu erreichen, nutzte ROHM seine firmeneigene Technologie und sein im Rahmen eines vertikal integrierten Produktionssystems erworbenes Know-how im Gerätedesign für die Entwicklung und Planung. Im Rahmen der am 10. Dezember 2024 angekündigten Kooperation werden die Front-End-Prozesse von der Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC) und die Back-End-Prozesse von ATX übernommen. Darüber hinaus plant ROHM eine Partnerschaft mit ATX zur Herstellung von GaN-Bauelementen in Automobilqualität.
Als Reaktion auf die zunehmende Verbreitung von GaN-Bauelementen im Automobilsektor, die sich voraussichtlich bis 2026 noch beschleunigen wird, plant ROHM, die schnelle Einführung von GaN-Bauelementen in Automobilqualität durch die Stärkung dieser Partnerschaften sowie durch die Förderung eigener Entwicklungsbemühungen sicherzustellen.
Liao Hongchang, Berater und Geschäftsführer von ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.:
„Wir freuen uns sehr über das Vertrauen von ROHM, einem international renommierten Unternehmen mit fortschrittlichen Fertigungstechnologien und eigenen Produktionsanlagen, das alle Schritte von der Waferherstellung bis zur Verkapselung abdeckt. Der technische Austausch mit ROHM begann bereits 2017, und wir sondieren derzeit Möglichkeiten für eine vertiefte Zusammenarbeit. Diese Partnerschaft wurde durch die langjährige Erfahrung und das technische Know-how von ATX in der Backend-Fertigung von GaN-Bauelementen ermöglicht. Zukünftig planen wir außerdem die Zusammenarbeit mit ROHM bei der Entwicklung von GaN-Bauelementen in Automobilqualität. Durch die Stärkung unserer Partnerschaft wollen wir einen Beitrag zur Energieeinsparung in verschiedenen Branchen leisten und zu einer nachhaltigen Gesellschaft beitragen.“
Satoshi Fujitani, General Manager, AP Production Site, ROHM Co., Ltd.:
„Wir freuen uns sehr über die erfolgreiche Produktion der 650-V-GaN-HEMTs im TOLL-Gehäuse mit der erforderlichen Leistung. ROHM bietet nicht nur eigenständige GaN-Bauelemente, sondern auch Stromversorgungslösungen, die diese mit integrierten Schaltungen kombinieren und dabei die Expertise von ROHM in der Analogtechnik nutzen. Das bei der Entwicklung dieser Produkte gewonnene Wissen und die Philosophie fließen auch in die Bauelemententwicklung ein. Die Zusammenarbeit mit OSAT-Lieferanten wie ATX, die über außergewöhnlich fortschrittliche technische Kompetenzen verfügen, ermöglicht es uns, im schnell wachsenden GaN-Markt die Nase vorn zu haben und gleichzeitig die Stärken von ROHM für die Markteinführung innovativer Bauelemente einzusetzen. Auch in Zukunft werden wir die Leistung von GaN-Bauelementen weiter verbessern, um die Miniaturisierung und Effizienz in einer Vielzahl von Anwendungen weiter voranzutreiben und so einen Beitrag zur Verbesserung der Lebensqualität zu leisten.“
EcoGaN™
ist die neue Produktreihe von GaN-Bauelementen von ROHM, die durch die optimale Nutzung der GaN-Eigenschaften zu Energieeinsparungen und Miniaturisierung beiträgt. Dies ermöglicht einen geringeren Stromverbrauch in Anwendungen, kleinere Peripheriekomponenten und einfachere Designs mit weniger Bauteilen.
EcoGaN™ ist eine Marke oder eingetragene Marke der ROHM Co., Ltd.
Produktpalette
Anwendungsbeispiele:
Stromversorgung für Server, Kommunikationsbasisstationen, Industrieanlagen und vieles mehr.
Netzadapter (USB-Ladegeräte), Photovoltaik-Wechselrichter, SAE (Energiespeichersysteme).
Sie lassen sich in einer Vielzahl von Stromversorgungssystemen mit einer Ausgangsleistung von 500 W bis 1 kW einsetzen.
