Sie werden auch Anwendung im Bereich der erneuerbaren Energien finden, beispielsweise in Photovoltaik-Wechselrichtern und bidirektionalen DC/DC-Wandlern, wie sie zum Laden von Elektrofahrzeugen (EVs) verwendet werden.
Die neuen Modelle TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C und TW107N65C basieren auf Toshibas fortschrittlichem SiC-Prozess der dritten Generation, der die
in Geräten der zweiten Generation verwendeten Zellstrukturen optimiert.
Als Ergebnis dieser Weiterentwicklung hat sich der FoM, der als Produkt aus Drain-Source-Widerstand (RDS(on)) und Drain-Gate-Last (Qg) berechnet wird und statische und dynamische Verluste repräsentiert, um etwa 80 % verbessert.
Wie die Vorgängermodelle verfügen auch die neuen MOSFETs der dritten Generation über eine integrierte SiC-Schottky-Barriere mit einer niedrigen Vorwärtsspannung (VF) von -1,35 V (typisch), um den RDS(on)-Jitter zu unterdrücken und dadurch die Zuverlässigkeit zu verbessern.
Die neuen Bauelemente sind für Ströme (ID) bis zu 100 A ausgelegt und weisen RDS(on)-Werte von nur 15 mΩ auf. Alle Bauelemente sind im branchenüblichen TO-247-Gehäuse untergebracht.
