Der BUK9J0R9-40H MOSFET mit 0,9 mΩ und 220 A DC-Nennstrom eignet sich für Anwendungen bis 1,2 kW und ist kostengünstiger als die größeren D2PAK-Bauteile, die bisher die beste Lösung darstellten.
Neben einem reduzierten RDS (on)bieten die neuen Bauteile eine verbesserte DC-Nennstrombelastbarkeit von 220 A – ein Novum für die SO8-Bauform im Automobilbereich. Dies ermöglicht eine höhere Leistungsdichte auf kleinerem Raum, was insbesondere für sicherheitskritische Anwendungen im Automobilbereich mit redundanten Doppelschaltungen von Vorteil ist. Die Superjunction-Technologie sorgt für erhöhte Lawinenfestigkeit und einen sicheren Arbeitsbereich mit verbessertem Fehlerverhalten.
Laut Norman Stapelberg, Produktmarketing-Manager: „Nexperia ist das einzige Unternehmen mit einer Niederspannungs-Superjunction-MOSFET-Plattform. In puncto Zuverlässigkeit und Gesamtleistung ist Nexperia Marktführer: Die robuste Trench-9-Superjunction-Technologie in Kombination mit den extrem robusten Gehäusen LFPAK56 und LFPAK56E gibt Ingenieuren die Sicherheit, dieses Bauteil auch in sicherheitskritischen Anwendungen einzusetzen.“
Die LFPAK56 Trench-9-MOSFETs ermöglichen eine einfache Parallelschaltung für Hochstromanwendungen. Die Bauteile eignen sich für Anwendungen im Automobilbereich, wie z. B. Motorsteuerung (mit und ohne Bürsten) für Servolenkung, Getriebesteuerung, ABS, ESC, Pumpen (Wasser, Öl und Kraftstoff), Lüfterdrehzahlregelung, Verpolungsschutz und DC/DC-Wandler.

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