LFPAK33-Bauelemente weisen zudem einen deutlich geringeren Widerstand auf und tragen so dem zunehmenden Druck der Automobilindustrie Rechnung, die Modulgröße zu reduzieren und gleichzeitig Energieeffizienz und Zuverlässigkeit weiter zu verbessern. LFPAK33-MOSFETs bilden die Grundlage für die Stromversorgungsinfrastruktur, die den zuverlässigen und effizienten Betrieb von Automobil-Subsystemen der nächsten Generation wie Radar und ADAS-Technologien ermöglicht.
Das Nexperia LFPAK33-Gehäuse nutzt eine Kupferclip-Konstruktion zur Reduzierung des Gehäusewiderstands und der Induktivität. Dies senkt wiederum den RDS(on) und die MOSFET-Verluste. Das resultierende Gehäuse hat eine extrem kompakte Grundfläche von nur 10,9 mm².Da intern keine Drähte oder Anschlussdrähte verwendet werden, sind Betriebstemperaturen bis zu 175 °C Tj max möglich. Die Bauelemente sind für Ströme bis zu 70 A ausgelegt. Das breite Produktportfolio umfasst Bauelemente mit Spannungen von 30 V bis 100 V und einem RDS(on) -Wert bis hinunter zu 6,3 mΩ.
Zielanwendungen umfassen: vernetzte Module für die Automobilindustrie, Motormanagementsysteme der nächsten Generation; Fahrwerks- und Sicherheitstechnik; LED-Beleuchtung; Relaisersatz; C2X-, Radar-, Informations- und Navigationssysteme; ADAS.
