Die neuen Leistungsschalterprodukte umfassen 8 Kanäle und sind High-Side- (Hs,TPD2015FN) und Low-Side-Schalter (Ls,TPD2017FN). Beide Bauteile profitieren von Toshibas neuestem BiCD-Verfahren (Analog Device Process), das Bipolar-, CMOS- und DMOS-Technologien kombiniert.

Beide Produkte sind im kleinen SSOP30-Gehäuse mit einem Rastermaß von 0,65 mm untergebracht und messen nur 9,7 × 7,6 × 1,2 mm. Dies bietet eine Reduzierung der Montagefläche um ca. 29 % und der Höhe um 20 % im Vergleich zum SSOP24-Gehäuse (13,0 × 8,0 × 1,5 mm), das für aktuelle Produkte wie den TPD2005F und den TPD2007F verwendet wird, wodurch die Gesamtgröße der Designs verringert wird.

Hinsichtlich der elektrischen Leistung weisen beide Bauelemente einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 0,4 Ω auf, der mehr als 50 % niedriger ist als der aktueller Toshiba-Produkte. Dies verbessert die Betriebseffizienz und die thermische Leistung deutlich. Die robusten Leistungsschalter sind für einen Betriebstemperaturbereich (Topr) von -40 °C bis +110 °C und eine Sperrschichttemperatur (Tj) von bis zu +150 °C geeignet und somit ideal für anspruchsvolle Industrieumgebungen.

Darüber hinaus verfügen beide Produkte über Überstromschutzschaltungen und Übertemperaturschutzschaltungen, um die Zuverlässigkeit der Geräte, in denen sie eingesetzt werden, zu gewährleisten.