Der SSM6N951L wurde speziell für die Integration in die Batterieschutzschaltungen von Lithium-Ionen-Akkus entwickelt. Sein extrem niedriger Leitwiderstand (maximal 4,6 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung (VGS) von 3,8 V) und der minimale Leckstrom zwischen Brücke und Source (maximal 1 μA bei einer VGS von 8 V) ermöglichen diesem diskreten Leistungshalbleiter deutlich geringere thermische Eigenschaften als vergleichbaren Produkten. Dies ist während der Lade-/Entladezyklen von Akkus von unschätzbarem Wert und ermöglicht die Entwicklung von Lösungen mit höherer Energiedichte, die schnellere Ladezeiten, höhere Zuverlässigkeit und eine längere Lebensdauer bieten.
Diese neuen MOSFETs werden in flachen TCSP6A-172101-Gehäusen (mit Abmessungen von 2,14 mm x 1,67 mm x 0,11 mm) geliefert und eignen sich daher ideal für den Einbau in moderne batteriebetriebene Geräte mit begrenztem Platzangebot.
