Das neue Gehäuse bietet eine Halbbrückenlösung in einem einzigen Bauteil und benötigt durch den Wegfall von Leiterbahnen 30 % weniger Leiterplattenfläche als Dual-MOSFETs für dreiphasige Motorsteuerungstopologien. Gleichzeitig ermöglicht es eine einfache automatisierte optische Inspektion (AOI) während der Produktion. Die LFPAK56D-Halbbrücke nutzt die bewährten Fertigungsprozesse des LFPAK56D, dessen Zuverlässigkeit in der Automobilindustrie bereits unter Beweis gestellt wurde. Das Gehäusedesign verwendet flexible Leitungen zur Verbesserung der Gesamtzuverlässigkeit, und eine interne Kupferclipverbindung zwischen den MOSFETs vereinfacht das Leiterplattenlayout und bietet eine Plug-and-Play-Lösung mit einer außergewöhnlichen Strombelastbarkeit von 98 A.
Typischerweise kann die Leiterplattenverbindung zwischen dem Source-Anschluss des Hs-MOSFET (High-Side) und dem Drain-Anschluss des Ls-MOSFET in einer Halbbrückenanordnung eine erhebliche parasitäre Induktivität verursachen. Dank der internen Clipverbindung erreicht das LFPAK56D-Halbbrückengehäuse jedoch eine um 60 % geringere Induktivität.
Die neu erschienenen LFPAK56D-Halbbrücken-MOSFETs BUK7V4R2-40H und BUK9V13-40H basieren beide auf der robusten Trench-9-Siliziumtechnologie in Automobilqualität, sind für 40 V ausgelegt und erfüllen in wichtigen Tests die doppelte Spezifikation AEC-Q101 für die Automobilindustrie. Der RDS(on) der Bauelemente beträgt 4,2 mΩ (BUK7V4R2) bzw. 13 mΩ (BUK9V13).
Das AEC-Q101-konforme Nexperia LFPAK56D-Halbbrückengehäuse eignet sich für eine Vielzahl dreiphasiger Automobilanwendungen, darunter Wasser- und Kraftstoffpumpen, Motorsteuerungen und DC/DC-Wandler. Es benötigt 30 % weniger Leiterplattenfläche und weist 60 % weniger parasitäre Induktivität für leistungsstarke Schaltanwendungen auf. Diese neue Technologie hat sich bereits im Design und durch das Engagement führender Automobilkunden bewährt.

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