Die sechste Generation der CSTBT-Module (Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistor) reduziert die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung um 15 % und die Gate-Kapazität um 30 % bis 50 % im Vergleich zu MPD-Modulen der fünften Generation. Zudem wurde die maximale Sperrschichttemperatur auf +175 °C erhöht.
Die neue Generation der MPD-IGBT-Module ist hinsichtlich Abmessungen, Form und Pinbelegung mit IGBT-Modulen der fünften Generation kompatibel. Die Isolationsspannung wurde auf 4000 V erhöht. Die Module der neuen Serie sind als CM900DUC-24S (1200 V/900 A), CM1400DUC-24S (1200 V/1400 A) und CM1000DUC-34SA (1700 V/1000 A) erhältlich.
Die neue IGBT-Serie ist vollständig RoHS-konform.
Im Zuge der Bemühungen zur Begrenzung der durch die globale Erwärmung verursachten Kohlendioxidemissionen (CO₂) werden Stromerzeugungssysteme zunehmend auf natürliche Energiequellen wie Wind- und Solarenergie umgestellt. Die sechste Generation der MPD-Serie trägt dem wachsenden Bedarf an robusten Leistungswandlern und großtechnischen Megawatt-Systemen Rechnung.
