Toshiba Electronics Europe hat einen neuen High-Gate-Treiber für N-Kanal-Leistungs-MOSFETs angekündigt, der über einen 3,3-V-Logikeingang gesteuert werden kann.Es verfügt über Kurzschlussschutz, Diagnosefunktionen und einen Rückstromschutz, der bei verpolter Batterie einen Rückstrom verhindert. Der TPD7104AF ist für Anwendungen im Automobilbereich konzipiert, beispielsweise für Ein-/Ausschalter in Start-Stopp-Systemen, Halbleiterrelais in Steuergeräten (ECUs) und Verteilerkästen in 12-V-Batteriesystemen.
Durch die Kombination eines TPD7104AF-Gate-Treibers mit einem N-Kanal-Leistungs-MOSFET lässt sich dank der integrierten Ladungspumpe auf einfache Weise ein Halbleiterrelais realisieren. Ein Shunt-Widerstand ermöglicht Kurzschlussschutz und Diagnosefunktionen.
Der TPD7104AF weist einen sehr geringen Ausgangsstromleckstrom bei umgekehrter Batteriespannung auf: IRev = -1μA (min) (@ Tj = 25 ° C) [1] Das in einem kompakten PS-8-Gehäuse untergebrachte Bauteil misst nur 2,8 mm x 2,9 mm.
[1] Pin Nr. 4 ist offen und VDD = -5 bis -18V.
