Die NextPower 100V MOSFETs von Nexperia sind Komponenten der nächsten Generation und werden für hocheffiziente und zuverlässige Schaltanwendungen empfohlen. Mit einem um 50 % niedrigeren R<sub>DS(on) </sub> und einer hohen Lawinenstromfestigkeit eignen sie sich ideal für Stromversorgungen, Telekommunikation und industrielle Anwendungen und sind besonders gut für USB-Typ-C-Ladegeräte und -Adapter sowie 48-V-DC/DC-Wandler geeignet. Diese Bauelemente zeichnen sich durch geringe Diodenverluste mit einem niedrigen Q<sub>RR </sub>-Wert von nur 50 Nanocoulomb (nC) aus. Dies führt zu einem niedrigeren I<sub>RR</sub> (Sperrstrom), niedrigeren Spitzenspannungen (V<sub>peak</sub>) und reduziertem Überschwingen, wodurch die Totzeit weiter optimiert werden kann.
Kommentar von Mike Becker, Produktmanager für Leistungs-MOSFETs: „Qrr ist ein oft übersehener Parameter, obwohl er viele Aspekte des Designs maßgeblich beeinflussen kann. Ein niedriges Spitzenvolumen bedeutet reduzierte elektromagnetische Störungen, während eine optimierte Totzeit die Effizienz weiter steigert – unser Ziel bei Nexperia. Wir haben gezeigt, dass ein niedriger Qrr-Wert für beide Funktionen vorteilhaft ist.“.
Die neuen NextPower 100V MOSFETs sind in drei Gehäusevarianten erhältlich: als TO220- und I2PAK-Bauteile für die bedrahtete Montage sowie im bewährten LFPAK56-Gehäuse (SMT). Alle Varianten weisen einemaximale Übergangstemperatur (Tj) von 175 °C auf und erfüllen die Anforderungen des erweiterten Temperaturbereichs gemäß IPC9592. Dadurch eignen sich die NextPower 100V MOSFETs besonders für Anwendungen in der Telekommunikation und IT.
