Das neue Produkt „TK55S10N1“ zeichnet sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, der durch die Kombination eines Chips der „U-MOS VIII-H-Serie“, gefertigt im neuesten Trench-MOS-Prozess der achten Generation, mit einem „DPAK+“-Gehäuse mit Kupferanschlüssen erreicht wird. Das Produkt eignet sich besonders für Anwendungen im Automobilbereich, insbesondere für solche, die schnelle Schaltvorgänge erfordern, wie beispielsweise Schaltregler. Muster sind ab sofort verfügbar, die Serienproduktion soll im April 2013 anlaufen.
- Details
- Kategorie: Integrierte Schaltungen
100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand für Automobilanwendungen.
Die Toshiba Corporation hat als neueste Ergänzung ihres Angebots an Automobilanwendungen einen 100-V-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und geringen Leistungsverlusten auf den Markt gebracht, der das neueste MOS-Verfahren nutzt.
Printmagazin
Preis für das Jahresabonnement:
Papier: 150,00 € (inkl. MwSt.)
Sie erhalten alle 10 Ausgaben, die jedes Jahr erscheinen.
soziale Netzwerke
Beliebte Nachrichten Elektronik
📱 So installieren Sie die App:
Tippen Sie auf Teilen → Zum Startbildschirm hinzufügen
Tippen Sie auf Teilen → Zum Startbildschirm hinzufügen
Spanisches Elektronikmagazin. Wird seit über 25 Jahren gedruckt.
Spanien - Madrid - Alle Rechte vorbehalten © Convertronic Professionelles spanisches Elektronikmagazin.
