Die SCT3xxx xR-Serie verwendet ein 4-poliges Gehäuse (TO-247-4L), das die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen 3-poligen Gehäusen (TO-247N) um bis zu 35 % reduziert. Dies trägt zu einem geringeren Stromverbrauch in einer Vielzahl von Anwendungen bei.
In den letzten Jahren hat der stetig steigende Bedarf an Cloud-Diensten aufgrund der zunehmenden Verbreitung von KI und IoT weltweit zu einem sprunghaften Anstieg der Nachfrage nach Rechenzentren geführt. Eine der größten Herausforderungen für die in diesen Rechenzentren eingesetzten Server besteht jedoch darin, den Stromverbrauch zu senken und gleichzeitig Kapazität und Leistung zu steigern. Gleichzeitig gewinnen SiC-Bauelemente aufgrund ihrer geringeren Verluste im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen in der Server-Stromwandlungsschaltung an Bedeutung. Da das TO-247-4L-Gehäuse zudem die Schaltverluste im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen reduziert, wird erwartet, dass es in Hochleistungsanwendungen wie Servern, Basisstationen und Solaranlagen breite Anwendung finden wird.
ROHM gelang 2015 als erstem Anbieter die erfolgreiche Serienproduktion von Trench-Gate-SiC-MOSFETs und ist weiterhin branchenführend in der Produktentwicklung. Neben diesen neuen, hocheffizienten 650-V-/1200-V-SiC-MOSFETs engagieren wir uns für die Entwicklung innovativer Bauelemente und Lösungen zur Reduzierung des Stromverbrauchs in einer Vielzahl von Geräten, darunter auch für SiC-Bauelemente optimierte Gate-Treiber-ICs.
ROHM bietet außerdem Lösungen an, die die Anwendungsbewertung erleichtern, darunter ein SiC-MOSFET-Evaluierungsboard, P02SCT3040KR-EVK-001, das mit Gate-Treiber-ICs (BM6101FV-C) sowie mit Stromversorgungs-ICs und diskreten Bauteilen ausgestattet ist, die für die SiC-Bauelementeinheit optimiert sind.
Hauptmerkmale:
Das 4-Pin-Gehäuse (TO-247-4L) reduziert die Schaltverluste um bis zu 35 %.
Bei herkömmlichen 3-Pin-Gehäusen (TO-247N) sinkt die effektive Gate-Spannung des Chips aufgrund des Spannungsabfalls an der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses. Dies verringert die Schaltgeschwindigkeit. Durch die Trennung von Treiber- und Versorgungsspannung im 4-Pin-Gehäuse TO-247-4L werden die Auswirkungen der parasitären Induktivität minimiert. Dadurch wird die Schaltgeschwindigkeit der SiC-MOSFETs maximiert und die gesamten Schaltverluste (Ein- und Ausschalten) im Vergleich zu herkömmlichen Gehäusen um bis zu 35 % reduziert.
Die
SCT3xxx xR-Serie besteht aus SiC-MOSFETs mit Trench-Gate-Technologie. Es werden sechs Modelle mit einer Durchbruchspannung von 650 V (3 Produkte) oder 1200 V (3 Produkte) angeboten.
(siehe Tabelle)
Anwendungsbereiche:
USV-Systeme, Solarwechselrichter, Energiespeichersysteme, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, Stromversorgung für Serverfarmen und Basisstationen und vieles mehr.
-Evaluierungsboard
(P02SCT3040KR-EVK-001) von ROHM ist mit unseren Gate-Treiber-ICs (BM6101FV-C) ausgestattet, die für die Ansteuerung von SiC-Bauelementen optimiert sind. Zusätzlich verfügt es über mehrere Versorgungsspannungs-ICs und weitere diskrete Bauteile, die die Anwendungsentwicklung und -bewertung erleichtern. Dank der Kompatibilität mit den Gehäusen TO-247-4L und TO-247N können beide Gehäusetypen unter identischen Bedingungen evaluiert werden. Das Board eignet sich für Doppelpulstests sowie zur Bauteilbewertung in Aufwärtswandlern, 2-Level-Wechselrichtern und synchronen Abwärtswandlern.
